[发明专利]一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜及其制备方法和应用在审
申请号: | 201811145165.2 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109438982A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 刘文熙;潘鑫;王庭辉 | 申请(专利权)人: | 刘文熙;潘鑫;王庭辉 |
主分类号: | C08L79/04 | 分类号: | C08L79/04;C08K3/013;C08G73/06;C08J5/18 |
代理公司: | 东莞市十方专利代理事务所(普通合伙) 44391 | 代理人: | 黄云 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芳杂环聚合物 薄膜 树脂 制备方法和应用 对苯二甲酸 邻苯二甲酸 含溴 阻燃 耐热性 薄膜技术领域 导电性 极限氧指数 成膜工艺 电致发光 发烟硫酸 反应原料 耐溶剂性 缩聚反应 综合性能 阻燃性能 电绝缘 硫酸肼 耐氧化 酸浴 制备 | ||
1.一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜,所述芳杂环聚合物薄膜包括芳杂环聚合物树脂,其特征在于:所述芳杂环聚合物树脂包括以Am-Bn表示的聚合物链,其中,A和B均为构成聚合物链主链的重复单元,且重复单元A、B以任意顺序排列,m和n均为正整数;
所述重复单元A的结构式为:所述重复单元B的结构式为:其中,R1、R2、R3和R4为未取代或取代的溴,且R1、R2、R3和R4中至少有一个为取代的溴。
2.根据权利要求1所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜,其特征在于:所述芳杂环聚合物树脂的制备方法为:以对苯二甲酸和/或邻苯二甲酸、含溴对苯二甲酸和/或含溴邻苯二甲酸、硫酸肼为反应原料,在发烟硫酸中进行缩聚反应,得到所述芳杂环聚合物树脂。
3.根据权利要求1所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜,其特征在于:所述芳杂环聚合物树脂采用无机填料进行改性。
4.根据权利要求3所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜,其特征在于:所述无机填料为云母、炭黑、白炭黑、滑石粉、硅灰石、氮化物、碳化物、氧化物、硫酸盐、碳酸盐、硅酸盐、氟硅酸盐和磷酸盐中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜,其特征在于:所述氮化物为氮化硅和/或氮化硼;所述碳化物为碳化硅和/或碳化硼;所述氧化物为氧化钙、氧化锌、氧化镁、氧化铁、二氧化硅和二氧化钛中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜,其特征在于:所述二氧化硅为纳米二氧化硅,所述二氧化钛为纳米二氧化钛。
7.根据权利要求4所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜,其特征在于:所述硫酸盐为硫酸钙、硫酸镁、硫酸锌、硫酸钡、硫酸铁、硫酸亚铁中的至少一种;所述硅酸盐为硅酸钠、硅酸铝和硅酸镁中的至少一种;所述碳酸盐为碳酸钙、碳酸镁和碳酸锌中的至少一种;所述氟硅酸盐为氟硅酸钠、氟硅酸钾和氟硅酸镁中的至少一种;所述磷酸盐为磷酸钙、磷酸氢钙、磷酸镁和磷酸氢镁中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜,其特征在于:所述芳杂环聚合物树脂采用改性剂进行改性,所述改性剂为玻璃微珠、晶须、碳纤维、玻璃纤维、芳纶浆粕、芳纶短纤、硅酮和聚四氟乙烯中的至少一种。
9.如权利要求1-8任一项所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜的制备方法,其特征在于:所述芳杂环聚合物薄膜由芳杂环聚合物树脂经酸浴湿法拉伸成膜工艺制得。
10.如权利要求1-8任一项所述的一种高强度阻燃的芳杂环聚合物薄膜的应用,其特征在于:所述芳杂环聚合物薄膜应用于高温胶带、FPC基材、COF基材、FCCL基材、碳化膜基材、石墨化散热膜基材、高温保护膜、LED灯条、OLED柔性显示基材、导电膜基材、高温绝缘膜或手机盖板。
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