[发明专利]可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层及其制备方法有效
| 申请号： | 201811145381.7 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109346513B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 程万希;梁辉南;姜仁波;李强;王荣华;高珺 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/207 | 分类号： | H01L29/207;H01L29/06;H01L21/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 晶体 质量 耐压 性能 氮化物 外延 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层的制备方法，依次按照如下步骤进行：
a. 在衬底（1）上生长300nm厚的AlN缓冲层（2），所述AlN缓冲层（2）中形成有V形孔洞；
b. 控制反应室的压力为50~150mbar，以150~500 sccm的流量向反应室内通入金属镁元素5~30s，所述金属镁元素为金属二茂镁；所述金属镁元素在所述AlN缓冲层（2）表面迁移并进入所述AlN缓冲层（2）的V形孔洞中形成MgxN纳米柱，从而减少所述V形孔洞的密度，提高后续外延层的晶体质量；同时所述金属镁元素在GaN和AlN材料中是一种P型掺杂剂，使得所在界面层形成耗尽电场，从而进一步提高外延层的整体耐压性能；
c. 依次生长AlxGa1-xN缓冲层（3）及GaN层（4）；所述衬底（1）、AlN缓冲层（2）、AlxGa1-xN缓冲层（3）及GaN层（4）总厚度为5.2μm。
2.一种如权利要求1所述可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层的制备方法制备的外延层，有衬底（1）、AlN缓冲层（2）、AlxGa1-xN缓冲层（3）及GaN层（4），AlN缓冲层（2）上表面有孔洞（5），其特征在于：所述孔洞（5）内插接有MgxN纳米柱（6）。
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