[发明专利]一种侧向外延生长的方法及半导体结构

权利要求书

1.一种侧向外延生长的方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层部分暴露出所述衬底表面；

在所述掩膜层及所述衬底被掩膜层暴露出的表面进行侧向外延生长，以形成覆盖所述掩膜层和衬底暴露出的表面的外延层，外延生长同时通入预设气体，所述预设气体为含卤素原子气体，以使含卤素原子气体与外延材料与掩膜层形成的多晶膜层进行反应。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设气体为四氯化碳气体或四溴化碳气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成掩膜层包括：

在所述衬底上形成半导体层；

对所述半导体层进行光刻与刻蚀工艺，以部分暴露出所述衬底表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述半导体层为氮化硅层或氧化硅层或钨金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成掩膜层之前还包括：

在所述衬底上形成籽晶层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成籽晶层包括：

在所述衬底上采用物理气相沉积法或化学气相沉积法形成籽晶层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述掩膜层及所述衬底被掩膜层暴露出的表面进行侧向外延生长，以形成覆盖所述掩膜层和衬底暴露出的表面的外延层，外延生长同时通入预设气体包括：

将所述衬底放入反应室中；

在反应室中预通入预设气体预设时间后，持续通入预设气体，并在所述掩膜层及所述衬底被掩膜层暴露出的表面进行侧向外延生长。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述预设气体的通入流量大于或等于1.6μmol/min。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的外延层，所述外延层采用权利要求1-8任一项所述的侧向外延生长的方法生长；

位于所述外延层背离衬底一侧的功能结构层。