[发明专利]一种微流控芯片的制备方法

权利要求书

1.一种微流控芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、制备基片，在基片上设置微沟道，微沟道末端设置槽，槽中设置中空的微挤出管，微沟道截面直径大于或等于微挤出管的内径；

S2、制备盖片，在盖片上设置槽，步骤S1中的微挤出管设置在由基片的槽和盖片的槽形成的空间内；

S3、局部键合并加工储液池：将基片与盖片合上，局部键合后，再加工储液池，将微挤出管沿管长方向的外径上涂塑料粘接剂或胶水镶嵌在基片的槽中，盖上盖片并对正，施加压力，放置，局部键合，再加工储液池，制成芯片；

S4、在芯片上平面制热电半导体温控线路，芯片包括不少于一个的反应沟槽区和控温线路区；

S5、在步骤S4中的反应沟槽区的一面加工用于反应的沟槽，另一面印制感温探头；

S6、在步骤S4中的控温线路区的两面分别印制N型和P型热电材料的线路层，在线路靠近和远离反应沟槽区的一端均钻一排通孔，通孔中镀金属层，线路通过通孔连成交串联线路结构；

S7、感温探头和控温线路外接温度控制器，对反应沟槽进行控温。

2.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，基片为硬质绝缘片材，包括陶瓷片、硅片、石英基片、玻璃基片的一种。

3.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，沟槽加工方式包括激光烧蚀、化学刻蚀、热模压的一种。

4.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，感温探头为印制热电偶。

5.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，N型和P型热电材料的温室导电率均不小120Scm；线路制成方式包括丝网印刷、喷墨打印。

6.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，通孔中镀金属层的方式为电镀，金属包括铜、铝的一种。

7.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，热电材料包括硅锗合金、碲化铅。