[发明专利]一种微流控芯片的键合方法

权利要求书

1.一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗，依次用丙酮、乙醇进行表面清洗，每次清洗后均需用去离子水冲掉清洗液；

S2、将步骤S1清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后，直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起，转移到培养皿中，然后放置到真空干燥箱内若干时间，完成预键合；

S3、将石蜡融化，将步骤S2完成预键合的盖片与基片浸泡到液体石蜡中，在基片的孔处施加负压，利用负压将液体石蜡通过孔吸入到沟道内，将盖片与基片夹紧、固定，冷却到室温，完成对沟道的保护；

S4、反复浸泡清洗步骤S3得到的盖片与基片，将盖片与基片之间的可溶性的硅酸钠溶解除去，室温下抽真空干燥；

S5、在步骤S4得到的盖片与基片的四周的边缘封一圈外援胶类，施加负压，将紫外光固化胶通过盖片与基片之间的缝隙吸入到非沟道区域；

S6、对步骤S5得到的盖片与基片的四周进行紫外光照射，再对基片的沟道区域进行紫外光照射，室温老化；

S7、将步骤S6室温老化后得到的盖片与基片加热至温度为55℃～ 95℃，通过基片上的孔将沟道中的液体石蜡吸出；冷却到室温，通过基片上的孔，清洗残余在沟道中的石蜡后再用酒精清洗，最后反复冲洗浸泡盖片与基片以除去沟道内部残余的硅酸钠，室温下真空干燥；

S8、室温下，将浓硫酸和过氧化氢的混合液通过基片上孔充满步骤S7干燥后得到的盖片与基片中的基片的沟道内，加热盖片与基片后保温，以除去沟道中残余的外援胶类；

S9、用去离子水通过基片上的孔反复清洗沟道，真空干燥后完成键合，得到微流控芯片。

2.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，所述步骤S2中，真空干燥温度为100℃~115℃，抽真空使真空度达到80~100Pa并保持真空1.5h~3h。

3.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，所述步骤S3中，石蜡融化温度为65℃～ 80℃。

4.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，所述步骤S8中，浓硫酸：过氧化氢的体积比为1∶2 ～ 8∶3。

5.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，所述步骤S8中，加热温度为100～120℃，保温时间为0.5～2h。

6.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，所述步骤S7中，用石油醚清洗残余在沟道中的石蜡。

7.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，所述步骤S1中，基片为硬质绝缘片材，包括陶瓷片、硅片、石英基片、玻璃基片的一种。

8.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，所述步骤S5中，援胶类包括紫外光固化胶。