[发明专利]一种倒装结构芯片的制作方法

权利要求书

1.一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、以钨钼铜合金作为衬底层，在钨钼铜衬底层上外延生长AlN缓冲层，然后依次生长u-GaN层、n-AlGaN层、多量子阱层以及p-GaN层或p- AlGaN层；

S2、通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p-GaN层或p-AlGaN层，以及多量子阱层和部分n-AlGaN层，露出n-AlGaN层表面；

S3、通过剥离的方法在n-AlGaN层表面上制作n型欧姆接触金属，并高温退火；

S4、腐蚀去除n-AlGaN层上的n型欧姆接触金属；

S5、在p-GaN层或p-AlGaN层的表面上制作一层p型欧姆接触层，并在400℃～550℃下退火80s～220s，该p型欧姆接触层也为反射镜层；

S6、在p型欧姆接触层的表面制作一层能够包覆该p型欧姆接触层的金属阻挡层；

S7、在金属阻挡层和n-AlGaN层表面上生长一层绝缘层，在绝缘层上光刻出n-AlGaN层的欧姆接触部分，并通过腐蚀去除该欧姆接触部分上的绝缘层后，再在该欧姆接触部分上生长n型欧姆接触层，并退火；

S8、先光刻出p型电极区域，并腐蚀去除该区域的绝缘层，然后加厚制得p电极和n电极，再沉积一层绝缘材料层，并做二次电极分布，最后去除生长衬底和u-GaN层，并粗化n-AlGaN层，制得倒装结构紫外LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，n型欧姆接触金属为钛、铝、镍、金、矾、锆中的一种或几种组合或它们的合金。

3.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，高温退火的温度为550℃～1000℃，退火时间为20S～60S，退火氛围为氮气。

4.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，腐蚀采用的溶液为盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸、磷酸、冰醋酸、王水中的一种或几种组成的混合液。

5.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，p型欧姆接触层的制备方法为：先采用、乙醇、盐酸、硝酸混合液对p-GaN层或p-AlGaN层的表面进行处理，然后采用电子束蒸发方法在p-GaN层或p-AlGaN层的表面沉积一层p型欧姆接触金属，光刻腐蚀出p型欧姆接触层，并在350℃～550℃下退火60s～300s。

6.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中，金属阻挡层采用镍、金、钛、铂、钯、钨中的一种或几种或它们的合金制成。

7.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S7中，n型欧姆接层采用镍、金、钛、铂、钯、钨中的一种或几种或它们的合金制成。

8.根据权利要求1所述的一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤S7中，所述退火的温度为25℃～300℃，退火时间为20S～180S。