[发明专利]具有动态自动修复功能的存储器系统及其运作方法

说明书

本发明公开一种具有动态自动修复功能的存储器系统及其运作方法。存储器系统包含存储器及自动侦测及修复电路。自动侦测及修复电路耦接存储器。自动侦测及修复电路包含自我测试单元及修复单元。自我测试单元耦接存储器。修复单元分别耦接存储器及自我测试单元。于存储器系统的初始状态下，自我测试单元即时侦测出存储器中的缺陷并由修复单元即时对存储器中的缺陷进行修复。接着，存储器系统由初始状态进入工作状态。

技术领域

本发明与存储器有关，尤其是关于一种具有动态自动修复功能的存储器系统及其运作方法。

背景技术

一般而言，大部分的电子装置都设置有存储器，例如各类嵌入式应用、个人电脑、工作站、路由器、印表机、液晶显示器、机器人…等，几乎无一不使用存储器。

然而，当电子装置进入工作状态后，一旦存储器中出现缺陷或损坏时，很可能会导致电子装置无法正常运作，尤其是对于造价昂贵且在使用环境中不易维修的特殊电子设备，例如深海探测仪器、气象卫星…等，当其在深海或太空等特殊环境中工作时，实在难以对其存储器进行修复的动作。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种具有动态自动修复功能的存储器系统及其运作方法，以有效解决现有技术所遭遇到的上述问题。

根据本发明的一具体实施例为一种具有动态自动修复功能的存储器系统。于此实施例中，存储器系统包含存储器及自动侦测及修复电路。自动侦测及修复电路耦接存储器。自动侦测及修复电路包含自我测试单元及修复单元。自我测试单元耦接存储器。修复单元分别耦接存储器及自我测试单元。于存储器系统的初始状态下，自我测试单元即时侦测出存储器中的缺陷并由修复单元即时对存储器中的缺陷进行修复。接着，存储器系统由初始状态进入工作状态。

于一实施例中，存储器为可修复的静态随机存取存储器(Static Random-AccessMemory,SRAM)。

于一实施例中，自我测试单元为内建式自我测试(Built-In Self-Test,BIST)电路。

于一实施例中，当存储器系统每次启动并进入初始状态时，自动侦测及修复电路会同时启动。

于一实施例中，当自动侦测及修复电路启动时，自我测试单元即时对存储器进行缺陷侦测。

根据本发明的另一具体实施例为一种具有动态自动修复功能的存储器系统运作方法。于此实施例中，存储器系统包含存储器及自动侦测及修复电路。自动侦测及修复电路耦接存储器。自动侦测及修复电路包含自我测试单元及修复单元。自我测试单元耦接存储器。修复单元分别耦接存储器及自我测试单元。

存储器系统运作方法包含下列步骤：(a)于存储器系统的初始状态下，通过自我测试单元即时侦测出存储器中的缺陷；(b)通过修复单元即时对存储器中的缺陷进行修复；以及(c)存储器系统由初始状态进入工作状态。

相较于现有技术，根据本发明的具有动态自动修复功能的存储器系统及其运作方法可在存储器系统每次启动进入初始状态时均自动由自我测试单元即时侦测出存储器中的缺陷并通过修复单元即时加以自动修复，使得存储器系统由初始状态进入工作状态时的存储器已无缺陷存在，而能维持存储器系统的正常运作，使得设置有存储器系统的电子装置能够延长其使用寿命，尤其是对于工作于深海或太空等特殊环境中的特殊电子设备而言，本发明的具有动态自动修复功能的存储器系统及其运作方法可大幅降低其维修风险及成本。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

附图说明

图1为根据本发明的一具体实施例中的具有动态自动修复功能的存储器系统的示意图。

图2为根据本发明的另一具体实施例中的具有动态自动修复功能的存储器系统运作方法的流程图。

主要元件符号说明：