[发明专利]电容结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811146201.7 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109148426A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王晓玲 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容柱 电容结构 顶部支撑层 延伸部 基板 多个电容 电极层 固定层 介电层 电容 触点 倒塌 基板方向 器件性能 湿法刻蚀 下电极层 接合 晃动 加高 平行 垂直 外围 贯穿 覆盖 | ||
1.一种电容结构，包括：
一基板，具有多个间隔的电容触点；
多个电容柱，所述电容柱形成于所述基板上，并与所述电容触点接合，所述电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；
顶部支撑层，平行于所述基板，所述多个电容柱贯穿于所述顶部支撑层，形成位于所述顶部支撑层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部；
固定层，形成于所述电容柱延伸部的外围，所述固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述固定层的高度占所述电容柱高度的1/5～1/3。
3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容柱的高度为800～1600nm。
4.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述固定层的材料与所述第一上电极层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一上电极层全部填充所述电容柱的内部。
6.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述固定层具有多个开口，所述第二介电层和所述第二上电极层通过所述开口延伸并覆盖于所述固定层的表面。
7.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括一底部支撑层，所述底部支撑层形成于所述基板上，所述电容柱本体部的底部贯穿所述底部支撑层接合于所述基板上的电容触点。
8.根据权利要求7所述的电容结构，其特征在于，所述顶部支撑层的厚度为30nm～45nm，所述底部支撑层的厚度为30nm～45nm。
9.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一上电极层、所述下电极层和所述第二上电极层的材料选自钛、氮化钛和钨中的一种或多种；所述第一介电层和所述第二介电层的材料选自氧化铝、氮化硅、氧化硅和氧化锆中的一种或多种。
10.根据权利要求9所述的电容结构，其特征在于，所述下电极层的厚度为5～15nm，所述第二上电极层的厚度为5～10nm，所述第一介电层的厚度为4nm～10nm，所述第二介电层的厚度为4nm～10nm。
11.根据权利要求1、6、7中任一项所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括多晶硅层，所述多晶硅层位于所述第二上电极层的外表面。
12.根据权利要求11所述的电容结构，其特征在于，所述多晶硅层掺杂硼、砷、磷和锗中的一种或多种。
13.根据权利要求11所述的电容结构，其特征在于，所述多晶硅层与所述第二上电极层之间还包括一层金属钨层。
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