[发明专利]半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成第一沟槽；

2)至少在所述第一沟槽的侧壁形成衬垫层；

3)在所述衬垫层的上表面形成隔离层，所述隔离层至少覆盖所述衬垫层的侧面及顶部；

4)在所述第一沟槽内填充第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述隔离层；

5)刻蚀去除部分所述第一介质层后形成第二沟槽，所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；及

6)在所述第二沟槽内填充第二介质层，所述第二介质层至少填满所述第二沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在步骤1)中所形成的所述第一沟槽的截面形状包括矩形。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在步骤5)中所形成的所述第二沟槽的截面的顶部宽度大于底部宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在步骤1)中所形成的所述第一沟槽的深度范围介于

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在步骤5)中所形成的所述第二沟槽的深度范围介于

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，于所述半导体衬底内形成所述第一沟槽的步骤包括如下步骤：

1-1)依次在所述半导体衬底表面形成第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；

1-2)对所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述第三阻挡层进行图形化处理，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述第三阻挡层所形成的图形相同；

1-3)以所述第三阻挡层作为硬掩模层，通过刻蚀在所述半导体衬底内形成所述第一沟槽。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在步骤6)后还包括如下步骤：

7)以所述第二阻挡层作为研磨停止层，使用化学机械研磨去除所述第二阻挡层上方的所述第三阻挡层和所述第二介质层；

8)以所述第一阻挡层作为刻蚀停止层，通过干法刻蚀去除所述第二阻挡层；

9)通过湿法刻蚀去除所述第一阻挡层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底包括硅衬底，所述第一阻挡层包含二氧化硅阻挡层，所述第二阻挡层包含多晶硅阻挡层，所述第三阻挡层包括氮化硅阻挡层，所述衬垫层包含二氧化硅层；在步骤2)中形成的所述衬垫层还位于所述第二阻挡层的侧壁上，以于所述第一阻挡层的侧壁位置形成凹槽结构。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在步骤3)中所形成的所述隔离层填满所述凹槽结构。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一沟槽，形成于所述半导体衬底内；

衬垫层，形成于所述第一沟槽的侧壁；

隔离层，位于所述第一沟槽内，且至少覆盖所述衬垫层的侧面及顶部；

第一介质层，位于所述第一沟槽内，所述第一介质层的厚度小于所述第一沟槽的深度；

第二沟槽，位于所述第一沟槽内，且位于所述第一介质层及所述隔离层的上方；及第二介质层，位于所述第二沟槽内。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟槽的截面形状包括矩形。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层的上表面至少与所述隔离层的顶部相平齐。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二沟槽的截面的顶部宽度大于底部宽度。