[发明专利]一种数据存储方法、装置及系统

说明书

本申请实施例提供了一种数据存储方法、装置及系统，该方法包括：获取待存储的数据资源，其中，该数据资源的大小满足第一预设条件且数据资源中的数据单元具有相同特征；以及确定目标存储介质中地址连续且空间大小满足第二预设条件的目标空闲空间；对确定出的目标空闲空间进行数据写操作，以将数据资源存储于该目标空闲空间中。通过将特性相同的数据单元写入地址连续的空闲空间内，达到顺序写入数据资源的效果，这样能够使得具有相同特征的数据尽可能地在目标存储介质中集中分布，缓解具有不同特征的数据在一个垃圾回收单元中混杂分布的情况，以使后续进行失效数据回收时减少数据搬移操作，从而降低数据写放大系数，延长存储介质的使用寿命。

技术领域

本申请涉及计算机领域，尤其涉及一种数据存储方法、装置及系统。

背景技术

目前，随着计算机技术的快速发展，同时随着数据产生量的不断增加，对数据信息存储需求不断提升，需要提供一种使用寿命长、性能高、成本低的存储系统，其中，由于机械硬盘受限于物理构造，虽然机械硬盘具有价格便宜、存储量大的特点，但是机械硬盘的性能始终无法带来大的突破，并且机械硬盘的发热、噪音等问题无法解决。

当前，随着存储设备研发的不断进步，基于NAND闪存的固态硬盘(Solid StateDrive，SSD)逐渐开始在市场上推广并投入使用，固态硬盘内部的核心存储单元是NANDFlash，NAND Flash可以分为SLC(Single-Level Cell，单层式储存)、MLC(Mult-LevelCell，多层式储存)、TLC(Triple-Level Cell，3bit MLC)和QLC(Quad-Level Cell，4bitMLC)，SLC每个Cell单元存储1bit信息，MLC每个cell单元存储2bit信息，TLC每个cell单元存储3bit信息，QLC每个cell单元存储4bit信息。

其中，QLC SSD作为一种新型存储介质，具有成本低的优势，并且存储介质QLC SSD单个cell单元存储位数提升到了4bit，然而，在存储密度提升的过程中，伴随着擦写次数的下降，写入性能比较差，并且随机写入性能更差，导致存储介质QLC SSD的使用寿命比较短。由此可知，由于存储介质QLC SSD的闪存性能差、使用寿命短，导致其无法满足线上业务安全使用的目的，因此，存储介质QLC SSD的成本低的优势无法得到充分发挥。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种数据存储方法、装置及系统，通过将特性相同的数据单元写入地址连续的空闲空间内，达到顺序写入数据资源的效果，这样能够使得具有相同特征的数据尽可能地在目标存储介质中集中分布，缓解具有不同特征的数据在一个垃圾回收单元中混杂分布的情况，以使后续进行失效数据回收时减少数据搬移操作，从而降低数据写放大系数，延长存储介质的使用寿命。

为解决上述技术问题，本申请实施例是这样实现的：

本申请实施例提供了一种数据存储方法，包括：

获取待存储的数据资源，其中，所述数据资源的大小满足第一预设条件且所述数据资源中的数据单元具有相同特征；

确定目标存储介质中地址连续且空间大小满足第二预设条件的目标空闲空间；

对所述目标空闲空间进行数据写操作，以将所述数据资源存储于所述目标空闲空间中。

本申请实施例提供了一种数据存储装置，包括：

数据资源获取模块，用于获取待存储的数据资源，其中，所述数据资源的大小满足第一预设条件且所述数据资源中的数据单元具有相同特征；

存储空间分配模块，用于确定目标存储介质中地址连续且空间大小满足第二预设条件的目标空闲空间；

数据资源写入模块，用于对所述目标空闲空间进行数据写操作，以将所述数据资源存储于所述目标空闲空间中。