[发明专利]等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811147305.X | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109256316A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 周亚勇;罗林;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀装置 聚焦环 等离子体刻蚀 晶圆边缘区域 晶圆基座 半导体器件 刻蚀腔室 刻蚀效果 导电环 负电势 刻蚀腔 变薄 晶圆 刻蚀 内嵌 环绕 室内 | ||
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括：
刻蚀腔室；
晶圆基座，位于所述刻蚀腔室内；
聚焦环，环绕所述晶圆基座，以围成用于放置晶圆的区域；
导电环，内嵌于所述聚焦环，且具有负电势。
2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，还包括：
外电源，所述外电源负极连接至所述导电环，且所述外电源的正极接地。
3.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述聚焦环的顶部表面高于所述晶圆基座的表面。
4.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，随着所述聚焦环的厚度变小，所述导电环的负电势的绝对值变大；
其中，所述聚焦环的厚度方向垂直于所述晶圆基座的表面。
5.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述导电环的材料选自：铜、铝、钛以及银。
6.一种基于权利要求1所述的等离子体刻蚀装置的等离子体刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供晶圆；
将所述晶圆放置于所述晶圆基座；
在所述刻蚀腔室内引入等离子体，并开始刻蚀；
在刻蚀过程中，向所述导电环提供负电势。
7.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，
通过外电源来调节所述导电环的负电势，其中，所述外电源的负极连接至所述导电环，且所述外电源的正极接地。
8.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，
在刻蚀过程中监控所述聚焦环的厚度，并根据所述聚焦环的厚度对所述导电环的负电势的绝对值进行调节。
9.根据权利要求8所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，随着所述聚焦环的厚度变小，所述导电环的负电势的绝对值变大；
其中，所述聚焦环的厚度方向垂直于所述晶圆基座的表面。
10.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述聚焦环的顶部表面高于所述晶圆基座的表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811147305.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
