[发明专利]一种IGBT功率器件在审
申请号: | 201811147326.1 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN110970496A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 刘磊;刘伟;毛振东;袁愿林 | 申请(专利权)人: | 苏州东微半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 功率 器件 | ||
1.一种IGBT功率器件,其特征在于,包括:
半导体衬底;
位于所述半导体衬底底部的p型集电极区;
位于所述半导体衬底中的至少一个栅沟槽;
分别位于所述栅沟槽的上部的两侧侧壁位置处的第一控制栅和第二控制栅,所述第一控制栅和所述第二控制栅分别通过栅介质层与所述半导体衬底隔离;
位于所述栅沟槽中的屏蔽栅,所述屏蔽栅通过隔离介质层与所述半导体衬底、所述第一控制栅和所述第二控制栅隔离;
位于所述半导体衬底中且靠近所述第一控制栅一侧的p型体区;
位于所述p型体区中的n型发射极区;
位于所述p型体区上方的一个发射极接触孔,所述发射极接触孔延伸至所述栅沟槽上方,所述p型体区、所述n型发射极区、所述第一控制栅和所述屏蔽栅均通过所述发射极接触孔中的发射极金属层外接发射极电压;
所述第二控制栅外接栅极电压。
2.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,所述p型体区和所述栅沟槽依次间隔交替排列。
3.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,所述发射极金属层嵌入至所述p型体区内。
4.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,所述屏蔽栅与所述半导体衬底之间的隔离介质层的厚度大于或者等于所述屏蔽栅与所述第一控制栅和所述第二控制栅之间的隔离介质层的厚度。
5.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,所述屏蔽栅和所述隔离介质层覆盖所述栅沟槽的下部并且在所述栅沟槽的上部将所述第一控制栅和所述第二控制栅分隔开。
6.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,还包括位于所述半导体衬底底部的n型集电极区,所述n型集电极区和所述p型集电极区依次间隔交替排布。
7.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,还包括位于所述半导体衬底内且位于所述p型集电极区上方的n型场截止区。
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