[发明专利]一种IGBT功率器件在审

专利信息
申请号: 201811147326.1 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN110970496A 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 刘磊;刘伟;毛振东;袁愿林 申请(专利权)人: 苏州东微半导体有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 功率 器件
【权利要求书】:

1.一种IGBT功率器件,其特征在于,包括:

半导体衬底;

位于所述半导体衬底底部的p型集电极区;

位于所述半导体衬底中的至少一个栅沟槽;

分别位于所述栅沟槽的上部的两侧侧壁位置处的第一控制栅和第二控制栅,所述第一控制栅和所述第二控制栅分别通过栅介质层与所述半导体衬底隔离;

位于所述栅沟槽中的屏蔽栅,所述屏蔽栅通过隔离介质层与所述半导体衬底、所述第一控制栅和所述第二控制栅隔离;

位于所述半导体衬底中且靠近所述第一控制栅一侧的p型体区;

位于所述p型体区中的n型发射极区;

位于所述p型体区上方的一个发射极接触孔,所述发射极接触孔延伸至所述栅沟槽上方,所述p型体区、所述n型发射极区、所述第一控制栅和所述屏蔽栅均通过所述发射极接触孔中的发射极金属层外接发射极电压;

所述第二控制栅外接栅极电压。

2.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,所述p型体区和所述栅沟槽依次间隔交替排列。

3.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,所述发射极金属层嵌入至所述p型体区内。

4.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,所述屏蔽栅与所述半导体衬底之间的隔离介质层的厚度大于或者等于所述屏蔽栅与所述第一控制栅和所述第二控制栅之间的隔离介质层的厚度。

5.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,所述屏蔽栅和所述隔离介质层覆盖所述栅沟槽的下部并且在所述栅沟槽的上部将所述第一控制栅和所述第二控制栅分隔开。

6.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,还包括位于所述半导体衬底底部的n型集电极区,所述n型集电极区和所述p型集电极区依次间隔交替排布。

7.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件,其特征在于,还包括位于所述半导体衬底内且位于所述p型集电极区上方的n型场截止区。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州东微半导体有限公司,未经苏州东微半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811147326.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top