[发明专利]半导体装置及其工作方法

说明书

一种半导体装置及其工作方法，其中，半导体装置包括：腔室，所述腔室内用于放置第一待处理基底；耦合于腔室的发生单元，用于向腔室内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置，用于探测腔室内的第一光强；控制单元，用于在第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。利用所述半导体装置能够检控腔室内侧壁副产物的量。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体装置及其工作方法。

背景技术

在半导体工艺制造过程中，所述半导体工艺通常在相应的腔室内进行，在进行半导体工艺的过程中，易在腔室的内侧壁产生副产物。当副产物的量累积到一定量时，将发生跌落，对待处理基底造成缺陷，使得待处理基底的性能较差。

然而，现有半导体装置难以对副产物的量进行检控。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体装置及其工艺方法，以监控腔室内侧壁副产物的量。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体装置，包括：腔室，所述腔室内用于放置第一待处理基底；耦合于腔室的发生单元，用于向腔室内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置，用于探测腔室内的第一光强；控制单元，用于在所述第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。

可选的，所述探测装置包括相对设置的发射端和接收端；所述发射端为光源；所述接收端为光敏传感器。

可选的，所述发射端和接收端均固设于腔室的内侧壁。

可选的，所述腔室设有第一透明窗；所述发射端设于所述第一透明窗的外侧壁，且所述接收端设于腔室的内侧壁；或者，所述接收端设于第一透明窗的外侧壁，且所述发射端设于腔室的内侧壁。

可选的，所述腔室还设有第二透明窗，且所述第二透明窗与第一透明窗相对设置；所述发射端设于第一透明窗的外侧壁，且所述接收端设于第二透明窗的外侧壁。

可选的，所述控制单元包括：接收单元，用于获取第一光强信息；匹配单元，用于判断第一光强是否处于预设范围内；发射单元，当第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。

可选的，所述反应物为等离子体。

可选的，还包括：固设于腔室底部的基座，所述基座包括承载面，所述承载面用于承载第一待处理基底；耦合于腔室的偏置单元，用于使反应物向承载面运动。

相应的，本发明还提供一种半导体装置的工作方法，包括：提供上述半导体装置；提供第一待处理基底；将第一待处理基底置于腔室内；探测腔室内的第一光强；当所述第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应气体，所述反应气体对第一待处理基底进行工艺处理。

可选的，获取所述预设范围的方法包括：提供若干批次第二待处理基底；采用所述半导体装置处理所述若干批次第二待处理基底；在处理所述若干批次第二待处理基底之前，获取所述腔室内的第二光强；在处理每一批次第二待处理基底之后，获取所述腔室内的第三光强；在处理每一批次第二待处理基底之后，获取所述若干批次第二待处理基底中，已被处理的第二待处理基底的累积个数；通过若干所述第三光强和各第三光强对应的累积个数，获取数量光强关系信息；通过所述数量光强关系信息获取光强突变点；获取所述预设范围，所述预设范围为所述光强突变点对应的第三光强与第二光强之间的范围。

可选的，对第一待处理基底进行工艺处理的过程中，利用探测装置探测腔室内的第一光强；或者，对第一待处理基底进行工艺处理之后，利用探测装置探测腔室内的第一光强。

可选的，当所述第一光强不在预设范围内时，对腔室的内侧壁进行清洁处理。

可选的，所述清洁处理包括：物理擦拭法和化学去除法中的一种或者两种。