[发明专利]载体晶片和形成载体晶片的方法在审
申请号: | 201811147777.5 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN110962039A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | L·C·金;鲁飞;欧阳煦;Y·G·潘 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B37/10;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐鑫;项丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载体 晶片 形成 方法 | ||
本申请涉及载体晶片和形成载体晶片的方法。形成载体晶片的方法包括如下步骤:对载体晶片的第一表面和第二表面进行研磨,使得载体晶片是基本平坦的,所述载体晶片包括玻璃、玻璃陶瓷或者陶瓷材料,其中,在研磨之后,载体晶片的直径是250mm至450mm和厚度是0.5mm至2mm;以及通过载体晶片的中心部分与边缘部分之间的不同的压力、不同的速度或不同的时间中的至少一种,对载体晶片的第一表面进行抛光,使得第一表面具有凸或凹形状。
技术领域
本公开一般地涉及形成载体晶片的方法,抛光设备及其载体晶片。
背景技术
通常来说,基材上的厚度均匀性是重要特性,其影响使用基材的适宜性。通常,在生产之后使用基材需要最后的机械和/或化学抛光和/或基材清洁,从而提供足够干净和均匀的表面(即,对基材沉积、生长或者连接额外层)。最后的化学和/或机械抛光经常导致一定厚度的基材去除。在最后抛光中,从基材去除材料常常导致基材偏离预定规格,导致基材是不可用的。
发明内容
根据本公开的第一个方面,形成载体晶片的方法包括如下步骤:对载体晶片的第一表面和第二表面进行研磨,使得载体晶片是基本平坦的,所述载体晶片包括玻璃、玻璃陶瓷或者陶瓷材料,其中,在研磨之后,载体晶片的直径是250mm至450mm和厚度是0.5mm至2mm;以及通过载体晶片的中心部分与边缘部分之间的不同的压力、不同的速度或不同的时间中的至少一种,对载体晶片的第一表面进行抛光,使得第一表面具有凸或凹形状。
根据第二个方面,提供了方面1的方法,其中,对载体晶片的第一表面进行抛光的步骤包括:通过中心部分与边缘部分之间的不同的压力,对载体晶片的第一表面进行抛光,以及其中,所述不同的压力是5psi至20psi。
根据第三个方面,提供了方面1的方法,其中,载体晶片的第一表面构造成经由抛光步骤之后进行的结尾抛光步骤,被抛光至基本平坦形状。
根据第四个方面,方面1的方法还包括如下步骤:在抛光步骤之后,将第一表面的中心部分和边缘部分结尾抛光至基本平坦形状,其中,在结尾抛光步骤过程中,载体晶片和抛光垫中的至少一个相对于另一个转动,使得第一表面的中心部分和边缘部分同时以不同速率进行抛光。
根据第五个方面,提供了方面1的方法,其中,对载体晶片的第一表面进行抛光的步骤限定了凸形状。
根据第六个方面,提供了方面1的方法,其中,对载体晶片的第一表面进行抛光的步骤限定了凹形状。
根据第七个方面,提供了方面1的方法,其中,对第一表面进行抛光的步骤还包括将抛光头靠住载体晶片的第一表面转动。
根据第八个方面,提供了方面1的方法,其中,第一和第二表面是载体晶片的相反侧。
根据第九个方面,提供了方面8的方法,其中,基本同时进行第一表面和第二表面的研磨。
根据第十个方面,提供了方面1的方法,其中,在通过不同的压力对载体晶片的第一表面进行抛光步骤之后,载体晶片的中心部分与边缘部分之间的厚度差异是1um至5um。
根据第十一个方面,提供了方面1的方法,其中,载体晶片是基本圆形的。
根据第十二个方面,提供了方面11的方法,其中,载体晶片的外直径是200mm至400mm。
根据本公开的第十三个方面,抛光设备包括可调节重物,与马达相连的抛光头、转台;以及与马达和配重相连的杠杆,所述马达和配重放置在杠杆的枢轴点的相对端上。可调节重物和配重构造成改变施加到抛光头的作用力。
根据第十四个方面,提供了方面13的抛光设备,其中,杠杆的枢轴点与支撑结构相连。
根据第十五个方面,提供了方面13的抛光设备,其中,步进式马达放置在可调节重物的上方。
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