[发明专利]基于光感的入侵检测装置

权利要求书

1.基于光感的入侵检测装置，其特征在于，包括主控单元、摄像机单元、报警器、物体光检测单元；所述物体光检测单元的输出连接主控单元的输入端，主控单元输出控制信号到摄像头模块；

所述物体光检测单元发光二极管和光敏晶体管。

2.如权利要求1所述的入侵检测装置，其特征在于，所述物体光检测单元包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、发光二极管D2、光敏晶体管Q2、二极管D1以及三极管Q1；

所述第一电阻R1的一端连接电源正极、另一端连接发光二极管D2的阳极；所述发光二极管D2的负极接电源地；第二电阻R2的一端连接电源正极、另一端连接光敏晶体管Q2的集电极连接；光敏晶体管Q2的发射极连接电源地；光敏晶体管Q2的集电极连接二极管D1的阳极；二极管D1的阴极连接三极管Q1的基极，三极管的集电极连接电源正极，三极管的发射极连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端接地；三极管的集电极输出电压连接到主控单元的输入端。

3.如权利要求1所述的入侵检测装置，其特征在于，所述物体光检测单元包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、发光二极管D1、光敏晶体管Q1、运算放大器U1；

所述第一电阻R1的一端连接电源正极、另一端连接发光二极管D1的阳极；所述发光二极管D1的负极接电源地；第二电阻R2的一端连接电源正极、另一端连接光敏晶体管Q1的集电极连接；光敏晶体管Q1的发射极连接电源地；光敏晶体管Q1的集电极连接运算放大器U1的反相；运算放大器U1的正向连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端接电源地；运算放大器U1的正向连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接电源正极；运算放大器U1的输出端通过第四电阻R4接电源正极。

4.如权利要求1所述的入侵检测装置，其特征在于，还包括显示单元，所述显示单元。

5.如权利要求1所述的入侵检测装置，其特征在于，还包括报警器，所述报警器连接主控单元的输出端。

6.如权利要求1所述的入侵检测装置，其特征在于，还包括GSM通信模块。

7.如权利要求1所述的入侵检测装置，其特征在于，所述摄像头模块采用CMOS摄像头。

8.如权利要求5所述的入侵检测装置，其特征在于，所述CMOS摄像头包括2.8mm镜头。