[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，其包括栅极及栅极金属层，所述栅极包括平行设置的多条多晶硅栅极、栅极衬垫、连接所述多晶硅栅极和所述栅极衬垫的栅极走线、位于所述半导体器件的中部的栅极手指，所述栅极手指包括多个间隔设置的多晶硅衬垫，所述多晶硅衬垫连接相邻的两条多晶硅栅极，所述多晶硅衬垫和所述栅极走线的上表面开设有接触孔，所述接触孔用于填充所述栅极金属层。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

衬底；

形成在所述衬底的上表面的外延层；

形成在所述衬底的上表面和所述栅极的下表面之间的栅极氧化层；

形成在所述栅极的外侧且位于所述外延层的上表面的介质层。

3.根据权利要求2所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括覆盖在所述多晶硅栅极对应的介质层的上方的源极金属层和形成在所述衬底的下表面的漏极金属层。

4.根据权利要求3所述的一种半导体器件，其特征在于，所述源极金属层和所述栅极金属层的间距为4-7μm。

5.根据权利要求2所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括自所述外延层的上表面延伸至所述外延层内部的体区和自所述体区的上表面延伸至所述体区内部的源区。

6.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述多晶硅栅极的宽度为7～10μm，相邻多晶硅栅极之间的间距为7～10μm。

7.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述多晶硅衬垫的长度为15-20μm。

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供衬底，在所述衬底的上表面形成外延层，在所述外延层的上表面形成初始氧化层，在所述初始氧化层的上表面淀积一层多晶硅层；

S2：刻蚀所述多晶硅层形成平行的多条多晶硅栅极、栅极衬垫、连接所述多晶硅栅极和所述栅极衬垫的栅极走线、位于所述半导体器件的中部的栅极手指，所述栅极手指包括多个间隔设置的多晶硅衬垫，所述多晶硅衬垫连接相邻的两条多晶硅栅极；

S3：通过自对准注入及驱入形成体区；

S4：在多晶硅栅极之间的初始氧化层的上表面铺设源区光刻胶，形成第一源区注入区和第二源区注入区，所述第一源区注入区位于栅极手指的两侧且位于多晶硅栅极和所述光刻胶之间，所述第二源区注入区位于间隔设置的栅极衬垫之间，对所述第一源区注入区与第二源区注入区通过自对准注入及驱入形成源区；

S5：刻蚀所述氧化层形成间隔设置的栅极氧化层，在所述栅极氧化层和所述栅极的外侧形成介质层；

S6：在所述栅极走线和所述栅极手指的上表面形成接触孔；

S7：在所述介质层和所述外延层的上表面淀积一层金属层，刻蚀所述金属层形成间隔的栅极金属层和源极金属层。

9.根据权利要求8所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S7中还包括在所述衬底的下表面形成漏极金属层。

10.根据权利要求8所述的一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，所述接触孔内淀积金属并与所述栅极金属层短接。