[发明专利]用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置在审
申请号: | 201811149950.5 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109306470A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 魏景峰;荣延栋;傅新宇 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 巴晓艳 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进气块 进气通孔 密封空腔 原子层沉积工艺 原子层沉积装置 进气装置 环形密封空腔 进气端 进气孔 连通 化学反应 工艺稳定性 有效地减少 前驱物 侧壁 内壁 正向 隔离 | ||
1.一种用于原子层沉积工艺的进气装置,其特征在于,包括:
第一进气块和第二进气块;第一进气块设置有第一中心进气通孔,所述第二进气块设置有第二中心进气通孔,所述第一进气块插入所述第二中心进气通孔内,所述第一进气块与所述第二进气块固定连接;在所述第二中心进气通孔的内壁和所述第一进气块的侧壁之间形成相互隔离的第一环形密封空腔区域和第二环形密封空腔区域;在所述第一进气块的侧壁上设置有用于连通所述第一密封空腔区域和所述第一中心进气通孔、连通所述第二密封空腔区域和所述第一中心进气通孔的第一进气孔;在所述第二进气块的侧壁上设置有分别与所述第一密封空腔区域和所述第二密封空腔区域相连通的第二进气孔。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,
在所述第一进气块的侧壁上设置有在轴向间隔开的第一环形槽和第二环形槽;所述第二中心进气通孔的内壁分别与所述第一环形槽和所述第二环形槽围成所述第一环形密封空腔区域和所述第二环形密封空腔区域;在所述第一环形槽和第二环形槽内分别设置有与所述第一中心进气通孔相连通的所述第一进气孔。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,
所述第一进气块的第一连接端面与所述第二进气块的第二连接端面固定连接,在所述第一连接端面与所述第二连接端面之间设置有密封结构,所述密封结构为:密封圈密封结构或真空法兰结构。
4.如权利要求2所述的装置,其特征在于,
在所述第一进气块的侧壁上并位于所述第一环形槽和所述第二环形槽之间设置第二环形密封元件,所述第二环形密封元件与所述第二中心进气通孔的内壁压紧贴合,起到密封作用。
5.如权利要求2所述的装置,其特征在于,
在所述第一进气块的侧壁上并位于所述第二环形槽的下方设置第三环形密封元件,所述第三环形密封元件与所述第二中心进气通孔的内壁压紧贴合,起到密封作用;其中,所述第一环形槽位于所述第二环形槽的上方。
6.如权利要求2所述的装置,其特征在于,
在所述第一环形槽内设置沿所述第一进气块的周向均匀分布的第一组第一进气孔,在所述第二环形槽内设置沿所述第一进气块的周向均匀分布的第二组第一进气孔。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,
在所述第二进气块的侧壁上设置有与所述第一环形密封空腔区域相连通的第一组第二进气孔,在所述第二进气块的侧壁上设置有与所述第二环形密封空腔区域相连通的第二组第二进气孔;其中,所述第一组第二进气孔和所述第二组第二进气孔在所述第二进气块的侧壁上都为对称分布。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,
所述第一组第一进气孔和所述第二组第一进气孔的孔径都小于4mm;
所述第一组第二进气孔和所述第二组第二进气孔的孔径都小于4mm。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述第二中心进气通孔为阶梯孔,所述阶梯孔包括第一阶梯孔段和第二阶梯孔段,所述第一阶梯孔段的直径大于所述第二阶梯孔段,所述第一进气块插入所述第一阶梯孔段内。
10.一种原子层沉积装置,其特征在于,包括:
匀流喷头,设置在工艺腔室内;
权利要求1至9任一项所述的进气装置,其中,所述第一中心进气通孔和所述第二中心进气通孔与所述匀流喷头连通。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的