[发明专利]一种极片电阻电导率测试方法在审
申请号: | 201811150086.0 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109358234A | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 颜旭涛;张兴华;魏奕民;秦朝敏;王益 | 申请(专利权)人: | 元能科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 杨玉芳 |
地址: | 361021 福建省厦门市湖里*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压强 电导率 极片 正向 电阻 电阻电导率 同一位置 测试 采集 测试电阻 参考 | ||
1.一种极片电阻电导率测试方法,其特征在于,包括:
S1:在待测极片电阻的同一位置下,采用N个不同正向压强参数进行测试,以获得所述待测极片电阻在每个正向压强参数下的测试电阻值趋于稳定的N个第一相对时间;其中,对于每个正向压强参数,每隔预定时间采集所述待测极片电阻的测试电阻值,并根据采集的多个测试电阻值获得测试电阻值趋于稳定的第一相对时间;
S2:将获得的N个第一相对时间的最大值作为所述待测极片电阻共同趋于稳定的第二相对时间;
S3:在同一位置,根据M个不同的正向压强参数以及所述第二相对时间,采集所述待测极片电阻在不同正向压强参数下的M个电导率值;根据所述M个电导率值获取在该位置下的最佳电导率以及与所述最佳电导率相应的参考正向压强参数;
S4:在不同位置,根据所述参考正向压强参数以及第二相对时间,采集所述待测极片电阻在不同位置的电导率值,以计算出不同位置下的电导率的RSD%。
2.根据权利要求1所述的极片电阻电导率测试方法,其特征在于,步骤S1中所述预定时间为100ms;所述测试电阻值为阻抗测试仪的内阻R1、上下压头的总电阻R2和极片电阻R3三者之和。
3.根据权利要求2所述的极片电阻电导率测试方法,其特征在于,所述对于每个正向压强参数,每隔预定时间采集所述待测极片电阻的测试电阻值,并根据采集的多个测试电阻值获得测试电阻值趋于稳定的第一相对时间,具体为:
S10:获取上下压头的总电阻R2,并放入待测极片电阻;
S11:在同一位置同一正向压强参数下测试,每隔100ms采集一个测试电阻值,并将得到的测试电阻值与相对时间进行关联;
S12:计算得到当前测试电阻值与前一个测试电阻值的差值;
S13:若所得差值小于阈值,则将与当前测试电阻值关联的相对时间设置为当前正向压强参数下的第一相对时间,否则返回步骤S12。
4.根据权利要求1所述的极片电阻电导率测试方法,其特征在于,所述S3步骤具体为:
S30:在同一位置,用M个不同正向压强参数递推测试;
S31:获取上下压头的总电阻R2,放入极片电阻测试;
S32:在每个正向压强参数下,获取到达第二相对时间时采集的电阻值和厚度值,同时算出相应电导率,以得到当前正向压强参数下的电导率数据;
S33:判断M个不同正向压强参数是否测试完毕;若是,执行步骤S34;若否,则继续下一步骤S35;
S34:在一组M个电导率数据中查找出该位置的最佳电导率以及对应的参考正向压强参数;
S35:更换正向压强参数,并返回S31。
5.根据权利要求1所述的极片电阻电导率测试方法,其特征在于,所述S4步骤具体为:
S40:在Y个不同位置参数下,采用获取的参考正向压强参数进行测试;
S41:获取上下压头的总电阻R2,并放入极片电阻测试;
S42:等待共同趋于稳定的第二相对时间到达时采集电阻值和厚度值,同时算出相应电导率,得到一组当前位置下的电导率数据;
S43:判断Y个不同位置参数是否测试完毕;若是,执行步骤S44;若否,则继续下一步骤S45;
S44:对一组Y个电导率数据,计算出电导率的RSD%;
S45:更换位置参数,并返回S42。
6.根据权利要求2所述的极片电阻电导率测试方法,其特征在于,
所述阻抗测试仪的内阻R1获取的方法具体为:将阻抗测试仪的探针短接,测量的电阻值就是阻抗测试仪的内阻R1;
所述上下压头的总电阻R2获取的方法具体为:将阻抗测试仪的探针分别与上压头和下压头连接,上压头和下压头之间不安放极片电阻,上压头和下压头接触导通,测量得到上压头和下压头的电阻值R2;
所述极片电阻的电阻值R3获取的方法具体为:将极片电阻安放在上压头和下压头之间,上压头受到压力挤压极片电阻,读取测试仪的电阻减去阻抗测试仪的内阻值R1和上压头和下压头总的电阻值R2,即可得到极片电阻的电阻R3。
7.根据权利要求6所述的极片电阻电导率测试方法,其特征在于,上压头和下压头接触面积固定不变。
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