[发明专利]快速修正SRAM测试电压的方法及SRAM测试电路

权利要求书

1.一种快速修正SRAM测试电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(A)以目标电压值作为force电压输入，进行电压修正判断；

(B)调用PID算法进行电压修正，直到满足二分法调用条件结束PID算法修正电压，进入步骤(C)；所述二分法的调用条件是指：对于输入调整后force电压观察到的当前sense电压，与上一次force电压输入后观察到的sense电压，两次sense电压分别在目标电压两侧，且当前sense电压与目标电压的差值在预设的±△₂的阈值范围内，△₂＞△₁；

(C)调用二分法进行电压修正，输入调整后的force电压，进行电压修正判断，若满足结束修正的条件则结束整个修正过程，否则重复调用二分法电压修正；

其中，电压修正判断是指：获取当前sense电压观测值与目标电压的差值，比较该差值与预设的精度要求△₁，若该差值满足预设的精度要求△₁则结束修正，否则继续后续步骤。

2.根据权利要求1所述的一种快速修正SRAM测试电压的方法，其特征在于，所述调用PID算法进行电压修正，包括以下步骤：

B1)确定kp、ki、kd这3个PID参数的值，设定lasterr的初始值为0；

B2)计算目标电压与sense电压观测值的差值，设该差值为tem；

B3)计算出电压修正值：ukp、uki、ukd，计算公式如下：

ukp＝tem×kp；

uki＝uki+tem×ki；

ukd＝(tem－lasterr)×kd；

B4)将force电压调整为上一次force电压与电压修正值之和，即：force电压＝上一次force电压+ukp+uki+ukd；令lasterr＝tem；

B5)输入调整后的force电压，若满足二分法调用条件，则结束调用PID算法，调用二分法进行电压修正，否则跳到步骤B2)重复进行PID算法电压修正。

3.根据权利要求2所述的一种快速修正SRAM测试电压的方法，其特征在于，通过仿真实验来确定kp、ki、kd这3个PID参数的值，具体方法如下：

步骤a：确定若干组PID参数的值，即确定若干组kp、ki、kd的值；

步骤b：利用步骤a确定的每组kp、ki、kd，依次进行仿真实验：在SRAM DUT控制节点加上传输门，再进行DC扫描，记录测量一条butterfly curve时每个节点仿真调整的次数，其中所述SRAM DUT控制节点是指VR、VL、BL、BLB和VDD；

步骤c：计算出每组PID参数下，将所有节点调整到目标电压值所需要自动调整的总次数；取总次数最小的一组PID参数，作为本次电压修正的PID参数的值。

4.根据权利要求1所述的一种快速修正SRAM测试电压的方法，其特征在于，所述调用二分法进行电压修正，具体包括下述步骤：

C1)进行电压修正判断，若满足结束修正的条件则结束整个修正过程，否则继续后续步骤；

C2)将最近输入的两次force电压，作为电压上下界，并将Force电压调整为电压上下界的中值；

C3)输入调整后的force电压，进行电压修正判断，若满足结束修正的条件则结束整个修正过程，否则跳到步骤C2)重复进行二分法电压修正。

5.根据权利要求4所述的一种快速修正SRAM测试电压的方法，其特征在于，判断当前输入的force电压是否处于SRAM的电压跳变区域，若处于电压跳变区域内，则结束修正。

6.根据权利要求5所述的一种快速修正SRAM测试电压的方法，其特征在于，判断当前输入的force电压是否处于SRAM的电压跳变区域，包括：

将修正前后的两次force电压进行比对，若两次force电压相同，则说明SRAM处于电压跳变区域，获取这两次force电压对应的sense电压作为电压跳变区域。