[发明专利]一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811150338.X | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109143620A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨彦伟;刘宏亮;曾建武;邹颜 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速相位调制 电极 电极电连接 相位调制器 光波导 调制 电阻焊接 芯片 电阻 制备 分支光波导 入射光波导 焊线 溅射 金属 | ||
1.一种调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：包括基片，所述基片上设有Y波导；所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；
所述基片上还设置有：
位于两个所述分支光波导之间的第一高速相位调制电极；
位于两个所述分支光波导外一侧，且通过第一电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第二高速相位调制电极；
位于两个所述分支光波导外另一侧，通过至少一根焊线与所述第二高速相位调制电极电连接，且通过第二电阻与所述第一高速相位调制电极电连接的第三高速相位调制电极。
2.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第一高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度大于所述第三高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度。
3.根据权利要求2所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第三高速相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度大于5mm且小于10mm。
4.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第二高速相位调制电极的电极区的面积大于800mm2且小于1500mm2。
5.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第一电阻和所述第二电阻的阻值均为50Ω～100Ω。
6.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第一电阻和所述第二电阻为贴片电阻。
7.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：
所述基片上还设置有：
与所述第一高速相位调制电极电连接，且相互间隔的第一焊盘和第二焊盘；
与所述第二高速相位调制电极电连接，且相互间隔的第三焊盘和第四焊盘；
与所述第三高速相位调制电极电连接的第五焊盘，
所述第三焊盘通过所述第一电阻与所述第二焊盘电连接，所述第二焊盘通过所述第二电阻与所述第五焊盘电连接。
8.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述基片上还设置有位于两个所述分支光波导之间的补偿相位调制电极，所述补偿相位调制电极位于所述第一高速相位调制电极远离所述入射光波导的一侧。
9.根据权利要求8所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述补偿相位调制电极在所述分支光波导上的投影长度大于2mm且小于5mm。
10.根据权利要求1或8任一所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述第一高速相位调制电极、所述第二高速相位调制电极、所述第三高速相位调制电极和所述补偿相位调制电极均包括Ti层、Pt层和Au层，且所述Ti层的厚度为10～50nm，所述Pt层的厚度为10～100nm，所述Au层的厚度大于3um。
11.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述基片为铌酸锂基片。
12.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述焊线为金丝焊线，所述焊线的直径为15um～30um。
13.根据权利要求1所述的调制带宽大的光波导相位调制器芯片，其特征在于：所述焊线的数量为两根。
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