[发明专利]一种氮化物发光材料及包含其的发光装置

权利要求书

1.一种氮化物发光材料，其特征在于，所述发光材料包含化学式为R_wQ_xSi_yN_z的无机化合物；其中，

所述R元素选自Yb元素、Nd元素或Er元素中的一种，且含有Cr元素，或者，所述R元素选自Yb元素、Nd元素或Er元素中的一种，且含有Cr和Ce元素；

所述Q元素选自La元素、Gd元素、Lu元素、Y元素或Sc元素中的一种或两种；

且所述参数w、x、y和z满足如下关系：0＜w≤0.5，2.5≤x+w≤3.5，5.5≤y≤6.5，10≤z≤12。

2.根据权利要求1所述的氮化物发光材料，其特征在于，所述参数w、x、y和z满足如下关系：0.01≤w≤0.3，(x+w)：y：z＝3：6：11。

3.根据权利要求2所述的氮化物发光材料，其特征在于，所述R元素为Cr元素和Yb元素。

4.根据权利要求2所述的氮化物发光材料，其特征在于，所述R元素为Cr元素、Ce元素和Er元素。

5.根据权利要求1-4任一所述的氮化物发光材料，其特征在于，所述无机化合物与La₃Si₆N₁₁具有相同的晶体结构。

6.根据权利要求5所述的氮化物发光材料，其特征在于，所述Q元素为La元素。

7.一种发光装置，包括荧光体和激发光源，其特征在于，所述荧光体包括权利要求1-6中任一项所述的氮化物发光材料。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置包含半导体芯片(2)、光转化部Ⅰ(1)和光转化部Ⅱ(6)；所述光转化部Ⅰ(1)吸收所述半导体芯片(2)发出的一次光，并转换为更高波长的二次光，所述光转化部Ⅱ(6)吸收所述半导体芯片(2)的一次光和所述光转化部Ⅰ(1)发出的二次光，并转换为更高波长的三次光；

所述光转化部Ⅰ(1)至少含有氮化物发光材料Ⅰ，所述光转化部Ⅱ(6)至少含有权利要求1-6任一项所述的氮化物发光材料。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，所述氮化物发光材料Ⅰ为在所述半导体芯片(2)激发下，发射出峰值波长为580-650nm的发射光的发光材料。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述氮化物发光材料Ⅰ为选自通式M_mAl_aSi_bN_c:Eu_d或M_eSi_fN_g:Eu_n中的发光材料中的一种或两种；其中，

所述M元素至少含有Ca元素和/或Sr元素；

所述参数m、a、b、c、d、e、f、g和n满足如下关系：0.8≤m≤1.2，0.8≤a≤1.2，0.8≤b≤1.2，2≤c≤4，0.0001≤d≤0.1，1.8≤e≤2.2，4≤f≤6，7≤g≤9，0.0001≤n≤0.1。

11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述氮化物发光材料Ⅰ具有如CaAlSiN₃或Sr₂Si₅N₈的晶型结构。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述氮化物发光材料Ⅰ中，所述M元素为Ca和Sr元素，其中Sr元素占所述M元素的摩尔百分比为z，且80％≤z＜100％。

13.根据权利要求8-12任一所述的发光装置，其特征在于，所述半导体芯片(2)发射峰值波长范围为350-500nm。

14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述半导体芯片(2)发射峰值波长范围为440-460nm。