[发明专利]一种LDMOS及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

第二导电类型的漂移区，所述漂移区注入形成于所述衬底上表面一端；

第一导电类型的体区，所述体区注入形成于所述衬底上表面，与所述漂移区相连；

第一导电类型的外延层，所述外延层生长于所述漂移区之上，所述外延层的下表面与所述漂移区的上表面大致持平；

场氧化层，所述场氧化层生长于所述外延层之上，并包裹所述外延层；

栅氧化层，所述栅氧化层形成于所述体区以及所述漂移区表面，并不覆盖所述场氧化层；

多晶硅栅，所述多晶硅栅覆盖所述场氧化层一侧面，并延伸覆盖所述外延层区域；

第二导电类型的源极注入区，所述源极注入区注入形成于所述体区；

第二导电类型的漏极注入区，所述漏极注入区注入形成于所述漂移区；

第一导电类型的接触区，所述接触区注入形成于所述体区；

电介质隔离层，所述电介质隔离层生长于所述栅氧化层、所述场氧化层以及所述多晶硅栅上表面；

源极，所述源极通过源极接触孔与所述源极注入区以及所述接触区相连；

栅极，所述栅极通过栅极接触孔与所述多晶硅栅相连；

漏极，所述漏极通过漏极接触孔与所述漏极注入区相连。

2.根据权利要求1所述的一种LDMOS，其特征在于，所述漂移区结深为3-15um之间。

3.根据权利要求1所述的一种LDMOS，其特征在于，所述体区结深为1-4um。

4.根据权利要求1所述的一种LDMOS，其特征在于，所述外延层厚度为0.5-1.5um，所述场氧化层厚度为1um-3um。

5.根据权利要求1所述的一种LDMOS，其特征在于，所述多晶硅栅覆盖所述外延层的长度为1um-5um。

6.一种LDMOS的制造方法，其特征在于，包括：

在第一导电类型衬底上表面注入形成第二导电类型的漂移区，所述漂移区注入形成于所述衬底上表面一端；

在所述衬底上表面注入形成第一导电类型的体区，所述体区与所述漂移区相连，所述体区与所述漂移区覆盖所述衬底；

在所述漂移区及所述体区之上生长二氧化硅层，并刻蚀所述二氧化硅层以形成窗口；

在所述窗口通过低温外延生长第一导电类型的外延层，所述外延层的下表面与所述漂移区的上表面大致持平；

去除剩余的所述二氧化硅层，并在所述体区、所述漂移区以及所述外延层之上生长形成场氧化层，并对所述场氧化层进行氩离子注入；

对所述场氧化层进行湿法腐蚀，最终所述外延层被剩余的场氧化层包裹；

在所述体区以及所述漂移区表面氧化形成栅氧化层，所述栅氧化层不覆盖所述场氧化层；

在所述场氧化层一侧面形成多晶硅栅覆盖该侧面，所述多晶硅栅延伸覆盖所述外延层区域；

在所述体区注入形成第二导电类型的源极注入区和第一导电类型的接触区，并在所述漂移区注入形成第二导电类型的漏极注入区；

在所述栅氧化层、所述场氧化层以及所述多晶硅栅上表面生长形成电介质隔离层；

通过接触孔分别在体区和源极注入区引出源极，在多晶硅栅引出栅极，在漏极注入区引出漏极。

7.根据权利要求6所述的一种LDMOS的制造方法，其特征在于，所述漂移区的推阱温度为1200-1250℃之间，推阱时间为3-40小时之间。

8.根据权利要求6所述的一种LDMOS的制造方法，其特征在于，所述体区推阱温度在1050-1150℃之间，推阱时间在1-3小时之间。

9.根据权利要求6所述的一种LDMOS的制造方法，其特征在于，所述低温外延的温度小于850℃。

10.根据权利要求6所述的一种LDMOS的制造方法，其特征在于，所述多晶硅栅覆盖所述外延层的长度为1um-5um。