[发明专利]电力用半导体装置有效

专利信息
申请号: 201811152150.9 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109616460B 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 熊田翔 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L23/29
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电力 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种电力用半导体装置,其具有:

配线部件;

半导体元件;

接合层,其将所述配线部件和所述半导体元件接合,由烧结金属体构成;以及

树脂,其将所述配线部件、所述半导体元件及所述接合层覆盖,

所述接合层包含第1接合层,该第1接合层与所述树脂相邻地设置,该第1接合层具有由所述树脂填充的空隙,

所述树脂所包含的填料的最大宽度比所述第1接合层的所述空隙的最小直径大,

与所述填料完全地进入的所述空隙相比,所述树脂更易填充至所述填料没有完全地进入的所述空隙。

2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置,其中,

所述接合层还包含第2接合层,该第2接合层以被所述配线部件、所述半导体元件及所述第1接合层包围的方式设置,空隙率比所述第1接合层小。

3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置,其中,

所述第1接合层设置于所述配线部件和所述半导体元件之间、及俯视观察时的所述半导体元件的外侧。

4.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置,其中,

所述第1接合层的空隙率大于或等于5%而小于或等于20%。

5.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置,其中,

所述接合层包含银、金、铜或者镍。

6.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置,其中,

所述树脂是热固性树脂。

7.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置,其中,

所述树脂所包含的填料的最大宽度比所述第1接合层的所述空隙的最大直径大。

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