[发明专利]包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法

说明书

提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0140000的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。

背景技术

存储装置是可以存储数据并且可以在需要时读取数据的贮存装置。存储装置可以粗略地分类为非易失性存储器(NVM)和易失性存储器(VM)，在非易失性存储器中，即使在未被供电时，所存储的数据也不消失，在易失性存储器中，当未被供电时，所存储的数据消失。

为了控制在存储装置中设置的多个存储单元，可以在存储装置内部设置并使用各种布线。这些布线的示例可以包括与存储单元连接的位线和字线。

随着存储装置的尺寸越来越小型化，在其中布置的布线之间的间隔也变窄。因此，可能发生各种缺陷，比如将彼此绝缘的布线发生电连接的桥接缺陷。由于这些缺陷导致存储装置的操作性能劣化，因此需要进行改善缺陷的研究。

发明内容

本公开的一方面提供了一种具有改善的数据存储可靠性和操作性能的存储装置。

本公开的另一方面提供了一种用于操作具有改善的数据存储可靠性和操作性能的存储装置的方法。

根据本公开的一些方面，提供了一种存储装置。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在衬底上的第一存储单元和在第一存储单元上方的第二存储单元；连接到所述第一存储单元的第一字线和连接到所述第二存储单元的第二字线，所述第二字线设置在所述第一字线上方；时钟发生器，所述时钟发生器被配置为当泵激电压低于基准泵激电压时生成泵激时钟信号；电压发生器，所述电压发生器被配置为响应于所述泵激时钟信号生成所述泵激电压，并基于泵激电压生成第一电压和与所述第一电压不同的第二电压；以及字线缺陷检测电路，所述字线缺陷检测电路被配置为在将所述第一电压施加到所述第一字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。所述电压发生器被配置为当所述泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时将所述第二电压施加到所述第二字线以对所述第二存储单元进行编程。

根据本公开的一些方面，提供了一种用于操作存储装置的方法。用于操作存储装置的所述方法包括：提供存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在衬底上的第一存储单元、连接到所述第一存储单元的第一字线、设置在所述第一存储单元上方的第二存储单元、以及设置在所述第一字线上方并连接到所述第二存储单元的第二字线；当泵激电压低于基准泵激电压时生成泵激时钟信号；响应于所述泵激时钟信号生成泵激电压，基于所述泵激电压生成第一电压且生成与所述第一电压不同的第二电压；通过在将所述第一电压施加到所述第一字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的第一数目来检测第一字线的缺陷；当所述泵激时钟信号的脉冲的第一数目小于第一基准值时，通过将所述第二电压施加到所述第二字线来对第二存储单元进行编程。