[发明专利]电子剥离箔和具有电子剥离箔的粒子加速器在审
申请号: | 201811153133.7 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109640506A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | Y·梁;T·埃里克松;V·纽卡莱斯;G·T·达拉科斯 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H05H7/00 | 分类号: | H05H7/00;H05H13/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;钱慰民 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 剥离箔 粒子加速器 粒子束 带电粒子 引出装置 保持件 背衬层 路径引导 金刚石 传导层 堆叠 去除 入射 合成 | ||
1.一种粒子加速器,其中:
所述粒子加速器产生并沿着指定路径引导带电粒子的粒子束;以及
所述粒子加速器包括引出装置,所述引出装置包括剥离箔和保持所述剥离箔的箔保持件,所述箔保持件将所述剥离箔定位在粒子束的指定路径上,使得粒子束入射到其上,所述剥离箔从所述带电粒子去除电子,其中,所述剥离箔包括相对于彼此堆叠的背衬层和传导层,所述背衬层包括合成金刚石。
2.根据权利要求1所述的粒子加速器,其中,所述传导层沿所述合成金刚石直接沉积,或者直接沉积在所述传导层和所述合成金刚石之间的中间层上。
3.根据权利要求2所述的粒子加速器,其中,所述合成金刚石是多晶金刚石(sp3-杂化),所述传导层包括导电碳层。
4.根据权利要求2所述的粒子加速器,其中,所述传导层包括石墨、石墨烯、无定型碳或类金刚石碳(DLC)的至少一个。
5.根据权利要求1所述的粒子加速器,其中,所述剥离箔具有外边缘,且还包括沿所述外边缘的至少一部分延伸的支撑区段,所述支撑区段直接形成在所述传导层上或者直接形成在所述支撑区段和所述传导层之间的中间层上,所述支撑区段允许带电粒子通过所述传导层和所述背衬层。
6.根据权利要求1所述的粒子加速器,其中,所述剥离箔还包括位于所述背衬层和所述传导层之间的中间层,所述中间层增大所述背衬层和所述传导层之间的粘合。
7.根据权利要求1所述的粒子加速器,其中,所述传导层是第一传导层,所述剥离箔还包括第二传导层,其中,所述背衬层设置在所述第一传导层和第二传导层之间。
8.一种剥离箔,其包括:
传导层;以及
相对于所述传导层堆叠的背衬层,所述背衬层包括合成金刚石,所述传导层和所述背衬层形成剥离片,所述剥离片从通过所述剥离片的带电粒子剥离电子。
9.根据权利要求8所述的剥离箔,其中,所述剥离片具有由所述传导层和所述背衬层形成的外边缘,所述剥离箔还包括沿所述外边缘的至少一部分延伸的支撑区段,所述支撑区段只覆盖所述剥离片的一部分,从而允许带电粒子通过所述传导层和所述背衬层。
10.根据权利要求8所述的剥离箔,其中,所述传导层直接沉积在所述合成金刚石上或者直接沉积在所述传导层和所述合成金刚石之间的中间层上。
11.根据权利要求8所述的剥离箔,其中,所述传导层具有至多2000纳米的厚度,所述背衬层具有至多50微米的厚度。
12.根据权利要求8所述的剥离箔,其中,所述传导层包括导电碳层。
13.根据权利要求8所述的剥离箔,还包括位于所述背衬层和所述传导层之间的中间层,所述中间层增大所述背衬层和所述传导层之间的粘合,其中,所述中间层和所述传导层是能够由相同的沉积设备连续沉积的碳层。
14.根据权利要求8所述的剥离箔,其中,所述传导层是第一传导层,所述剥离片还包括第二传导层,其中,所述背衬层设置在所述第一传导层和第二传导层之间。
15.一种方法,其包括:
提供衬底层;
沿所述衬底层的暴露面沉积第一层;
沿所述第一层的暴露面沉积第二层,使得所述第一层设置在所述衬底层和所述第二层之间,其中,所述第一层或所述第二层中的一个是背衬层,另一个是传导层,所述第一层和所述第二层形成剥离片,所述剥离片从通过所述剥离片的带电粒子剥离电子;以及
去除所述衬底层的至少一部分。
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