[发明专利]一种基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法

权利要求书

1.一种基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：包括偏振态为旋向偏振态的入射光，且该入射光具有拓扑荷为±1的螺旋相位分布；

将拓扑荷为+1或-1的入射光照射在磁存储媒介上，使磁存储媒介发生旋向依赖全光磁反转；

所述磁存储媒介为能够实现旋向依赖全光磁反转的亚铁磁材料或铁磁材料。

2.根据权利要求1所述的基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：所述入射光通过以下方法生成，

利用脉冲激光通过旋向偏振转换元件与拓扑荷为±1的螺旋相位调制器对入射光进行偏振、相位调制所产生。

3.根据权利要求1所述的基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：亚铁磁材料为GdFeCo、TbFeCo、TbFe、TbCo、DyCo或HoFeCo，或，

铁磁材料为Co/Pt多层材料或FePtAgC颗粒膜。

4.根据权利要求1所述的基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：利用聚焦透镜将所述入射光聚焦于所述磁存储媒介上，聚焦光斑具有纯横向圆偏振态。

5.根据权利要求4所述的基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：当所述磁存储媒介为GdFeCo时，所述入射光的平均能量密度不小于4.83mJ/cm²。

6.根据权利要求1所述的基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：将入射光以单激光脉冲激发的方式照射在磁存储媒介上，或，

将入射光以多激光脉冲扫描激发的方式照射在磁存储媒介上。

7.根据权利要求1所述的基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：所述磁存储媒介还可以是稀土-过渡金属多层膜结构或异质结结构。

8.根据权利要求1所述的基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：所述磁存储媒介通过磁控溅射生长方式获得。

9.根据权利要求1所述的基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：利用聚焦透镜将所述入射光聚焦于所述磁存储媒介上，且，聚焦透镜的数值孔径为NA＝0.95，入射光的环形因子β＝0.95。