[发明专利]一种一比特光控数字式超表面在审
申请号: | 201811155823.6 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109326888A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 蒋卫祥;张信歌;柏林;崔铁军 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 211100 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数字式 介质基板 金属贴片 数字单元 反射型 光控 变容二极管 高性能天线 背向散射 表面连接 电压偏置 辐射波束 硅光电池 上下两端 相位状态 远程调控 阵列排布 金属地 照射光 减小 雷达 数码 加工 应用 | ||
1.一种一比特光控数字式超表面,其特征在于,该超表面包括数字式反射型人工电磁表面(1)、与所述反射型人工电磁表面(1)连接的硅光电池(2),所述数字式反射型人工电磁表面(1)由阵列排布的数字单元(3)组成,每个数字单元(3)包括介质基板(31)、位于所述介质基板(31)下侧的金属地(32)、设置在介质基板(31)上侧的两个金属贴片(33)和设置在所述两个金属贴片(33)之间并连接二者的变容二极管(34),金属贴片(33)上下两端均设置有第三电压偏置线(35),反射型人工电磁表面(1)的阵列中,同一列的数字单元(3)的金属贴片(33)均通过第三电压偏置线(35)串联在一起;
反射型人工电磁表面(1)的数字单元(3)排布的阵列划分为多个尺寸相同的超级子单元(4),每个超级子单元(4)均包括n×n个正方形排列的数字单元(3),其中n为超级子单元(4)中数字单元(3)的列数和行数;
所述硅光电池(2)的正极通过第一电压偏置线(5)与需要偏置电压的超级子单元(4)中数字单元(3)的一个第三电压偏置线(35)连接,负极通过第二电压偏置线(6)与需要偏置电压的超级子单元(4)中数字单元(3)的另一个第三电压偏置线(35)连接。
2.根据权利要求1所述的一种一比特光控数字式超表面,其特征在于,所述硅光电池(2)设置在介质材料上,所述介质材料与数字式反射型人工电磁表面(1)中数字单元(3)的介质基板(31)连为一体。
3.根据权利要求1所述的一种一比特光控数字式超表面,其特征在于,所述硅光电池(2)为PIN硅光电池。
4.根据权利要求1所述的一种一比特光控数字式超表面,其特征在于,所述硅光电池(2)为多个,且多个硅光电池(2)串联在一起。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种一比特光控数字式超表面,其特征在于,所述硅光电池(2)为变容二极管(34)提供偏置电压。
6.根据权利要求1、2、3或4所述的一种一比特光控数字式超表面,其特征在于,所述数字单元(3)中的两个金属贴片(33)对称设置,且尺寸相同。
7.根据权利要求1、2、3或4所述的一种一比特光控数字式超表面,其特征在于,所述金属贴片(33)为长方形。
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