[发明专利]可挠式显示面板在审
申请号: | 201811156639.3 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109300954A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 江丞伟;蔡志鸿;陈佳楷 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;H01L51/00;H01L33/20;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠 通孔 缓冲层 元件层 可挠式显示面板 两端口 延伸 覆盖 配置 | ||
1.一种可挠式显示面板,其特征在于,包括:
一第一可挠层;
一第二可挠层;
一缓冲层,夹置于该第一可挠层与该第二可挠层之间,并具有多个通孔,其中该些通孔从该第一可挠层延伸至该第二可挠层,而该第一可挠层与该第二可挠层分别覆盖各该通孔的两端口,各该通孔的宽度小于2微米;以及
一元件层,配置于该第二可挠层上,其中该第二可挠层位于该元件层与该缓冲层之间。
2.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该缓冲层的孔隙率介于10%至90%之间。
3.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该第一可挠层与该第二可挠层皆未填入于该些通孔内。
4.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该第一可挠层与该第二可挠层至少一者填满该些通孔。
5.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该些通孔周期性地分布在该第一可挠层与该第二可挠层之间。
6.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该缓冲层的形状为网状。
7.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该缓冲层的厚度介于1000埃至10000埃之间。
8.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该第一可挠层的厚度与该第二可挠层的厚度相等。
9.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该缓冲层的材料为陶瓷、金属或合金。
10.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该缓冲层的材料选自于由氧化物、碳化物、氮化物、硼化物以及硅化物所组成的族群。
11.一种可挠式显示面板,其特征在于,包括:
一第一可挠层;
一第二可挠层;
一缓冲结晶层,夹置于该第一可挠层与该第二可挠层之间,并具有至少一晶粒边界,其中该至少一晶粒边界连通于该第一可挠层与该第二可挠层之间;以及
一元件层,配置于该第二可挠层上,其中该第二可挠层位于该元件层与该缓冲结晶层之间。
12.根据权利要求11所述的可挠式显示面板,其特征在于,该缓冲结晶层的厚度介于1000埃至10000埃之间。
13.根据权利要求11所述的可挠式显示面板,其特征在于,该第一可挠层的厚度与该第二可挠层的厚度相等。
14.根据权利要求11所述的可挠式显示面板,其特征在于,该缓冲结晶层的材料选自于由氧化物、碳化物、氮化物、硼化物以及硅化物所组成的族群。
15.根据权利要求11所述的可挠式显示面板,其特征在于,该缓冲结晶层的材料选自于由铟锡氧化物、铟锌氧化物以及氧化铟镓锌所组成的族群。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的