[发明专利]一种集流体，极片和电化学装置

权利要求书

1.一种集流体，其特征在于，所述集流体包括绝缘层和导电层，所述导电层位于所述绝缘层的至少一个表面上；

所述集流体还包括设置于所述导电层的背离所述绝缘层的表面上的第一保护层，所述第一保护层为金属保护层，

所述集流体中设置有多个贯穿所述绝缘层、所述导电层及所述第一保护层的孔。

2.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述孔具有孔壁，所述导电层还位于多个所述孔的孔壁表面上，且位于所述绝缘层的至少一个表面上的所述导电层与位于所述孔壁表面的所述导电层部分或全部相互连接；优选地，所述导电层位于所述绝缘层的上表面和下表面，位于所述绝缘层的上表面和下表面的导电层与位于所述孔壁表面的所述导电层部分或全部相互连接；优选地，所述孔的孔径为0.001mm-3mm，所述孔的面积占比为0.1％-30％，相邻两个所述孔的间距为0.2mm-5mm。

3.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述导电层的厚度为D2，D2满足：30nm≤D2≤3μm，优选300nm≤D2≤2μm，优选的，500nm≤D2≤1.5μm。

4.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述第一保护层为镍保护层、铬保护层、镍基合金保护层、铜基合金保护层中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述集流体还包括设置于所述导电层的朝向所述绝缘层的表面上的第二保护层，所述第二保护层为金属保护层、金属氧化物保护层或导电碳保护层，所述金属优选镍、铬、镍基合金、铜基合金中的至少一种，所述金属氧化物优选氧化铝、氧化钴、氧化铬、氧化镍中的至少一种，所述导电碳选自导电炭黑、碳纳米管、乙炔黑、石墨烯中的至少一种；所述第二保护层优选为金属保护层。

6.根据权利要求5所述的集流体，其特征在于，

所述第一保护层的厚度为D3，D3满足：D3≤0.1D2且1nm≤D3≤200nm，优选10nm≤D3≤50nm；

所述第二保护层的厚度为D3'，D3'满足：D3'≤0.1D2且1nm≤D3'≤200nm，优选10nm≤D3'≤50nm；

所述第一保护层的厚度大于所述第二保护层，优选的，D3'与D3的比例关系为：0.5D3≤D3'≤0.8D3。

7.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，绝缘层中添加有用于调节透光率的着色剂，所述绝缘层的透光率T满足：0≤T≤98％，优选为15％≤T≤95％，更优选为15％≤T≤90％。

8.一种极片，其特征在于，包括权利要求1～7中任一权利要求所述的集流体和形成于所述集流体至少一个表面的电极活性材料层。

9.根据权利要求8所述的极片，其特征在于，所述电极活性材料层还填充于多个所述孔中；

形成于所述集流体的至少一个表面的电极活性材料层与填充于多个所述孔中的电极活性材料层相互连接。

10.一种电化学装置，包括正极极片、隔膜和负极极片，其特征在于，所述正极极片和/或负极极片为权利要求8所述的极片。