[发明专利]一种集流体，极片和电化学装置

权利要求书

1.一种集流体，包括绝缘层和导电层，其特征在于，

所述导电层位于所述绝缘层的至少一个表面上，所述集流体还包括设置于所述导电层的背离所述绝缘层的表面上的第一保护层，以及设置于所述导电层朝向所述绝缘层的表面上的第二保护层，

所述导电层的厚度为D2，所述D2满足：30nm≤D2≤3μm，所述第一保护层的厚度为D3，所述第二保护层的厚度为D3'，满足：D30.1D2且1nmD3'200nm，0.5D3D3'0.8D3；

所述集流体中设置有多个贯穿所述绝缘层、所述导电层及所述第一保护层和所述第二保护层的孔，多个所述孔具有孔壁，所述第二保护层、所述导电层和所述第一保护层除了设置于集流体的平面部分外，还依次设置在多个所述孔的全部孔壁表面上，且位于所述绝缘层的至少一个表面上的所述导电层与位于所述孔壁表面的所述导电层部分或全部相互连接；

所述第一保护层和所述第二保护层为金属氧化物保护层；

所述绝缘层添加有用于调节所述绝缘层的透光率的着色剂，所述绝缘层的透光率T满足：0≤T≤98％。

2.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述孔的孔径为0.001mm-3mm，所述孔的面积占比为0.1％-30％，相邻两个所述孔的间距为0.2mm-5mm。

3.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述绝缘层的透光率T满足：15％≤T≤95％。

4.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述绝缘层的透光率T满足：15％≤T≤90％。

5.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述第一保护层为氧化铝保护层、氧化钴保护层、氧化铬保护层、氧化镍保护层中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，所述第二保护层中，所述金属氧化物选自氧化铝、氧化钴、氧化铬、氧化镍中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，

D3'满足：D3'≤0.1D2且1nm≤D3'≤200nm。

8.根据权利要求7所述的集流体，其特征在于，D3满足：10nm≤D3≤50nm；

D3'满足：10nm≤D3'≤50nm。

9.根据权利要求1所述的集流体，其特征在于，

所述导电层的厚度为D2，D2满足：30nm≤D2≤3μm。

10.根据权利要求9所述的集流体，其特征在于，D2满足：300nm≤D2≤2μm。

11.根据权利要求10所述的集流体，其特征在于，D2满足：500nm≤D2≤1.5μm。

12.一种极片，其特征在于，包括权利要求1～11中任一权利要求所述的集流体和形成于所述集流体至少一个表面的电极活性材料层。

13.根据权利要求12所述的极片，其特征在于，所述电极活性材料层还填充于多个所述孔中；

形成于所述集流体的至少一个表面的电极活性材料层与填充于多个所述孔中的电极活性材料层相互连接。

14.一种电化学装置，包括正极极片、隔膜和负极极片，其特征在于，所述正极极片和/或负极极片为权利要求12-13任一项所述的极片。