[发明专利]湿法黑硅制备工艺有效
申请号: | 201811158844.3 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109537058B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 刘斌;黄辉巍;陈正飞 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236 |
代理公司: | 常州知融专利代理事务所(普通合伙) 32302 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213000 江苏省常州市武*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 制备 工艺 | ||
1.一种湿法黑硅制备工艺,其特征在于包括以下步骤:
1)将45wt%的氢氧化钠溶液与纯水以体积比1:6-12混合,在温度75-85℃去除硅片表面损伤层,时间200-400S,然后水洗;
2)用A1溶液对上述抛光硅片进行预清洗,温度为20-30℃,时间100-200S,然后水洗;A1溶液由0.5%-5%的聚乙烯吡咯烷酮,0.5%-5%的聚季铵盐,2%-10%柠檬酸混合制成;
3)重复步骤2);
4)用氢氟酸和双氧水以及不含金属的B1混合溶液反应,其中氢氟酸:双氧水:纯水=1:3-6:2-10;B1溶液为0.5%-4%;温度30-40℃,时间180S-300S,最终形成纳米结构,即黑硅,然后水洗;其中,B1溶液由0.5%-5%PEG400,1%-10%PVA混合制成;
5)用45wt%氢氧化钾溶液与纯水以体积比例1:40-80混合,温度20-30℃,清洗上述酸液,时间60-150S;
6)将49%wt的氢氟酸与纯水以体积比例1:40-80混合,温度20-30℃,时间60-150S;
7)用49%wt氢氟酸、66%wt硝酸的混合溶液,将步骤4)所形成的黑硅纳米结构进行扩大化处理,然后水洗,氢氟酸:硝酸:纯水=1:3-5:1-3,温度6-12℃,时间80-150S;
8)用碱性溶液在温度20-30℃下去除上述步骤反应后形成的多孔硅,时间100-200S,然后水洗;
9)用酸性清洗硅片,温度20-30℃,时间100-300S,然后水洗;
10)将上述清洗后硅片,进行烘干处理,流入后道工序。
2.如权利要求1所述的湿法黑硅制备工艺,其特征在于:所述的步骤8) 中的碱性溶液为49%wt氢氧化钾溶液,占纯水比例3%-5%。
3.如权利要求1所述的湿法黑硅制备工艺,其特征在于:所述的步骤9)中酸性溶液为49%wt氢氟酸和36%wt盐酸的混合溶液,与纯水比例1:1-3:1-5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的