[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811158998.2 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109326633B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 袁永 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 陈莎莎 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基板;
位于所述基板一表面上的缓冲层;
以及,位于所述缓冲层背离所述基板一侧的至少一个LTPS薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管,其中,所述缓冲层对应所述Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构;
所述显示面板显示区域和环绕所述显示区域的边框区域;所述边框区域设置有驱动电路,及所述显示区域设置有多个像素电路,所述像素电路包括至少一个响应扫描控制信号的薄膜晶体管和至少一个响应发光控制信号的薄膜晶体管,及所述驱动电路包括用于产生所述扫描控制信号的扫描控制单元和用于产生所述发光控制信号的发光控制单元;
所有扫描控制单元分为第一扫描控制单元组至第N扫描控制单元组,所有发光控制单元分第一发光控制单元组至第N发光控制单元组,N为不小于2的整数;其中,每一扫描控制单元组中包括至少一个扫描控制单元,且每一发光控制单元组中包括至少一个发光控制单元,且扫描控制单元组与发光控制单元组交替排列,所有扫描控制单元的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管,或者,所有发光控制单元的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲层对应所述Oxide薄膜晶体管的区域为镂空结构时,位于所述Oxide薄膜晶体管与所述基板之间还包括:
辅助膜层,所述辅助膜层背离所述基板一侧表面低于所述缓冲层背离所述基板一侧表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述辅助膜层为无机膜层。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述辅助膜层复用所述LTPS薄膜晶体管中任意一绝缘层。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电路的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括有弯折区域,其中,所述驱动电路和所述像素电路位于所述弯折区域的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述Oxide薄膜晶体管的氧化物材料为铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物和铝锌氧化物中的至少一种。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基板;
位于所述基板一表面上的缓冲层;
以及,位于所述缓冲层背离所述基板一侧的至少一个LTPS薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管,其中,所述缓冲层对应所述Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构;
所述显示面板显示区域和环绕所述显示区域的边框区域;所述边框区域设置有驱动电路,及所述显示区域设置有多个像素电路,所述像素电路包括至少一个响应扫描控制信号的薄膜晶体管和至少一个响应发光控制信号的薄膜晶体管,及所述驱动电路包括用于产生所述扫描控制信号的扫描控制单元和用于产生所述发光控制信号的发光控制单元;
所有扫描控制单元分为第一扫描控制单元组至第N扫描控制单元组,所有发光控制单元分第一发光控制单元组至第N发光控制单元组,N为不小于2的整数;其中,每一扫描控制单元组中包括至少一个扫描控制单元,且每一发光控制单元组中包括至少一个发光控制单元,且扫描控制单元组与发光控制单元组交替排列,所有扫描控制单元的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管,或者,所有发光控制单元的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管;
所述显示面板还包括有弯折区域,其中,所述驱动电路和所述像素电路位于所述弯折区域的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管;在所述弯折区域处,所有Oxide薄膜晶体管对应的缓冲层的凹槽结构或镂空结构相互连通。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1~8任意一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的