[发明专利]湿法清洗设备有效
申请号: | 201811159489.1 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109411402B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 陈达 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 董晓盈 |
地址: | 315803 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 清洗 设备 | ||
1.一种湿法清洗设备,其特征在于,包括:
旋转台,所述旋转台的表面设有出气口;
多个管脚,所述多个管脚以所述旋转台的中心轴为圆心,沿所述旋转台的上表面圆周设置,且所述旋转台的出气口设置于所述管脚的内侧,在靠近晶圆边缘处的设备部件上设有增加的气流通道;
所述增加的气流通道包括设置于所述管脚上部的至少一个通孔,所述通孔沿所述管脚的径向方向设置。
2.根据权利要求1所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述增加的气流通道包括设置于所述旋转台上的凹陷,所述凹陷靠近所述晶圆的边缘处。
3.根据权利要求2所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述凹陷为环形凹槽或向下的环形斜坡。
4.根据权利要求3所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述环形凹槽为圆弧形凹槽。
5.根据权利要求3所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述环形斜坡的坡度与水平的夹角小于等于45°。
6.根据权利要求1所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述通孔垂直所述管脚的轴线设置,所述通孔的一端为气体进口,另一端为气体出口。
7.根据权利要求6所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述气体进口的直径小于等于三分之二所述管脚的宽度。
8.根据权利要求1所述的湿法清洗设备,其特征在于,当所述通孔为多个时,多个所述通孔水平或竖直并排设置。
9.根据权利要求6所述的湿法清洗设备,其特征在于,多个所述气体进口的直径之和小于等于三分之二所述管脚的宽度。
10.根据权利要求6所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述气体进口的直径大于等于所述气体出口的直径。
11.根据权利要求1所述的湿法清洗设备,其特征在于,还包括喷淋头,所述喷淋头设置于所述旋转台的上方。
12.根据权利要求1所述的湿法清洗设备,其特征在于,气体通过所述出气口喷出,在晶圆与所述旋转台之间形成气流层,使晶圆悬浮。
13.根据权利要求6所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述通孔的气体进口设置于靠近所述中心轴的一侧,所述通孔的气体出口设置于靠近所述旋转台的边缘的一侧。
14.根据权利要求1所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述多个管脚以所述旋转台的中心轴为圆心,沿所述旋转台的表面圆周等距离设置。
15.根据权利要求1所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述出气口为以旋转台中心为圆心的环形出气口,或为以旋转台中心为圆心环形分布的多个出气孔。
16.根据权利要求15所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述旋转台的内部设有与所述出气口连接的气体输送管路。
17.根据权利要求16所述的湿法清洗设备,其特征在于,还包括驱动机构,所述驱动机构设置于所述旋转台的下部,用于驱动所述旋转台绕所述中心轴旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造