[发明专利]一种在基板中形成微细结构的方法及微细结构有效
申请号: | 201811160202.7 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN110963458B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 王诗男 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B3/00 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基板中 形成 微细 结构 方法 | ||
1.一种在基板中形成微细结构的方法,包括:
在基板的表面形成复数个孔洞,所述孔洞的横向尺寸为0.1-5微米;以及
将具有所述复数个孔洞的所述基板在氢气气氛中进行加热到预定温度的处理,通过所述处理,所述复数个孔洞在所述基板的内部互相连通形成空腔,并且,在所述基板的表面形成覆盖所述空腔的薄膜,
所述方法还包括:
对所述薄膜进行处理,形成微细结构,
其中,对所述薄膜进行处理包括:
将所述薄膜氧化成氧化薄膜;
在所述氧化薄膜表面形成由功能性薄膜结构形成的微细图形结构;以及
在所述氧化薄膜中形成开口,形成由所述微细图形结构及其下方的氧化薄膜构成的所述微细结构,
其中,所述功能性薄膜结构由第一薄膜结构和第二薄膜结构构成,所述第一薄膜结构形成于所述氧化薄膜表面,所述第二薄膜结构覆盖所述第一薄膜结构,
所述第一薄膜结构是金属钛(Ti)的单层薄膜,或者由能够产生贝塞克效应的金属与半导体材料构成,
所述第二薄膜结构是氧化硅材料,或者是非掺杂硅玻璃。
2.如权利要求1所述的方法,其中,
所述孔洞的横向尺寸小于所述孔洞的纵向尺寸。
3.如权利要求1所述的方法,其中,
相邻的所述孔洞的横向间距为 0.2-10微米。
4.如权利要求1所述的方法,其中,
所述预定温度为900℃-1200℃。
5.一种微细结构,其通过权利要求1-4中任意一项所述的方法制造。
6.如权利要求5述的微细结构,其中
所述微细结构包括压力传感器。
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