[发明专利]一种新型的单相非隔离MOSFET并网逆变器

权利要求书

1.一种新型的单相非隔离MOSFET并网逆变器，其特征在于：包括第一开关管（S₁）、第二开关管（S₂）、第三开关管（S₃）、第四开关管（S₄）、第五开关管（S₅）、第六开关管（S₆）、第一二极管（VD₁）、第二二极管（VD₂）、第一电感（L₁）、第二电感（L₂）和直流输入电容（C_dc）。

2.根据权利要求1所述一种新型的单相非隔离MOSFET并网逆变器，其特征在于：直流母线的正极与直流输入电容（C_dc）的一端、第一开关管（S₁）的漏极和第三开关管（S₃）的漏极连接；直流母线的负极与直流输入电容（C_dc）的另一端、第二开关管（S₂）的源极和第四开关管（S₄）的源极连接；第一开关管（S₁）的源极与第一二极管（VD₁）的阴极、第五开关管（S₅）的漏极和第一电感（L₁）的一端连接；第一电感（L₁）的另一端与电网的一端相连；第一二极管（VD₁）的阳极与第六开关管（S₆）的源极和第二开关管（S₂）的漏极连接；第三开关管（S₃）的源极与第二二极管（VD₂）的阴极、第六开关管（S₆）的漏极、和第二电感（L₂）的一端连接；第二二极管（VD₂）的阳极与第五开关管（S₅）的源极和第四开关管（S₄）的漏极连接；第二电感（L₂）的另一端与电网另一端连接。

3.根据权利要求2所述的一种新型的单相非隔离MOSFET并网逆变器，其特征在于：所述开关管均采用N沟道增强型MOSFET。