[发明专利]一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器

权利要求书

1.一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器，其特征在于：包括第一开关管（S₁）、第二开关管（S₂）、第三开关管（S₃）、第四开关管（S₄）、第五开关管（S₅）、第六开关管（S₆）、第七开关管（S₇）、第八开关管（S₈）、第一二极管（VD₁）、第二二极管（VD₂）、第三二极管（VD₃）、第四二极管（VD₄）第一电感（L₁）、第二电感（L₂）、第一电容（C_dc1）和第二电容（C_dc2）。

2.根据权利要求1所述一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器其特征在于：直流母线的正极与第一电容（C_dc1）的一端、第一开关管（S₁）的漏极和第三开关管（S₃）的漏极连接；第一电容（C_dc1）的另一端与第二电容（C_dc2）的一端、第七开关管（S₇）的漏极和第八开关管（S₈）的漏极连接；直流母线的负极与第二电容（C_dc2）的另一端、第二开关管（S₂）的源极和第四开关管（S₄）的源极连接；第一开关管（S₁）的源极与第一二极管（VD₁）的阴极和第六开关管（S₆）的漏极连接；第一二极管（VD₁）的阳极与第七开关管（S₇）的源极和第三二极管（VD₃）的阴极连接；第三二极管（VD₃）的阳极与第五开关管（S₅）的源极、第二开关管（S₂）的漏极和第二电感（L₂）的一端连接；第二电感（L₂）的另一端与电网一端连接；第三开关管（S₃）的源极与第二二极管（VD₂）的阴极和第五开关管（S₅）的漏极连接；第二二极管（VD₂）的阳极与第八开关管（S₈）的源极和第四二极管（VD₄）的阴极连接；第四二极管（VD₄）的阳极与第六开关管（S₆）的源极、第一电感（L₁）的一端和第四开关管（S₄）的漏极连接；第一电感（L₁）的另一端与电网的另一端相连。

3.根据权利要求2所述的一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器，其特征在于：所述开关管均采用N沟道增强型MOSFET。

4.根据权利要求2所述的一种新型的单相非隔离有源钳位MOSFET逆变器，其特征在于：第七开关管与第八开关管起钳位作用，第一电容和第二电容容值相等。