[发明专利]柔性OLED显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201811165731.6 | 申请日: | 2018-10-08 |
公开(公告)号: | CN109494241B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 马伟欣 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种柔性OLED显示面板及其制备方法,所述柔性OLED显示面板包括一柔性基板及一有机电致发光器件层,在所述柔性OLED显示面板的上端部,所述柔性基板具有一通孔,所述通孔沿所述柔性基板的厚度方向贯穿所述柔性基板,一透明层填充在所述通孔内,所述有机电致发光器件层覆盖所述柔性基板及所述透明层。本发明的优点在于,在形成柔性基板的通孔处采用透明层填充,使得所述柔性OLED显示面板从视觉上为一个整体结构,使其更符合全面屏的视觉效果。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种柔性OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
目前全屏化手机普及程度越来越高,高屏占比的屏幕越来越受欢迎。所谓屏占比就是屏幕面积与整机面积的比例,较高的屏占比能够给用户带来更好的视觉体验。全面显示屏由于具有高屏占比,显示效果好,因此全面显示屏显示受到消费者越来越多的喜爱,成为了手机等电子设备未来发展的必然趋势。
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示面板是一种应用较为广泛的显示面板。在目前的有源矩阵有机发光二极体显示面板的全面屏设计中,通常需要采用激光切割工艺中将显示面板的上部进行切割,形成一槽口(Notch),形成所谓的“刘海屏”。
图1是现有的柔性OLED显示面板的俯视示意图,请参阅图1,显示面板1的上部经过激光切割后形成一槽口10,在所述槽口10处放置摄像头11及传感器12等器件。该种显示面板1的缺点在于,所述显示面板1的上部被切割形成槽口10,使得所述显示面板1呈现异形结构,在视觉上不美观,给人一种不是整块屏幕的感觉。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种柔性OLED显示面板及其制备方法,其能够使得所述柔性OLED显示面板从视觉上为一个整体结构,使其更符合全面屏的视觉效果。
为了解决上述问题,本发明提供了一种柔性OLED显示面板,包括一柔性基板及一有机电致发光器件层,在所述柔性OLED显示面板的上端部,所述柔性基板具有一通孔,所述通孔沿所述柔性基板的厚度方向贯穿所述柔性基板,一透明层填充在所述通孔内,所述有机电致发光器件层覆盖所述柔性基板及所述透明层。
在一实施例中,所述透明层朝向所述有机电致发光器件层的表面与所述柔性基板朝向所述有机电致发光器件层的表面平齐。
在一实施例中,所述有机电致发光器件层包括阵列排布的多个薄膜晶体管和阵列排布的多个有机电致发光器件,其中每个所述有机电致发光器件被对应的一个所述薄膜晶体管控制发光。
在一实施例中,所述透明层上方的所述薄膜晶体管及所述有机电致发光器件的密度小于所述柔性基板未设置所述透明层的区域的所述薄膜晶体管及所述有机电致发光器件的密度。
在一实施例中,所述通孔为一槽口。
本发明还提供一种上述的柔性OLED显示面板的制备方法,包括如下步骤:提供一硬质基板;在所述硬质基板上形成一柔性基板;在所述柔性基板的上端部,沿所述柔性基板的厚度方向对所述柔性基板进行切割,形成一沿所述柔性基板的厚度方向贯穿所述柔性基板的通孔;在所述通孔内填充一透明层;在所述柔性基板及所述透明层上形成一有机电致发光器件层;去除所述硬质基板,形成所述柔性OLED显示面板。
在一实施例中,所述制备方法还包括如下步骤:在所述硬质基板上制作一离型膜,在所述离型膜上形成所述柔性基板。
在一实施例中,在去除所述硬质基板的步骤中,采用机械剥离的方法去除所述硬质基板及所述离型膜。
在一实施例中,在所述通孔内填充一透明层的方法包括如下步骤:在所述柔性基板上涂布一光阻层,所述光阻层填充所述通孔并覆盖所述柔性基板;去除所述柔性基板上的光阻层,并保留填充所述通孔的光阻层,填充所述通孔的光阻层成为所述透明层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的