[发明专利]一种横向三极管及其制备方法

说明书

本发明公开了一种横向三极管，包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底的上表面上的绝缘层，形成在绝缘层的上表面的第一导电类型的外延层，自外延层的上表面向下贯穿所述外延层和所述绝缘层的第一沟槽，填充第一沟槽的第一导电类型的发射区，形成在所述第一沟槽侧壁上的第一导电类型的发射结，形成在发射结远离所述发射区的侧壁上的第二导电类型的基区，自外延层的上表面向下贯穿所述外延层的第二沟槽，填充第二沟槽的第一导电类型的集电区，形成在第二沟槽侧壁上的第一导电类型的集电结，形成在外延层、集电结、集电区、基区、发射结和发射区上表面的介质层。其还公开了上述横向三极管的制备方法，其能使三极管的发射极面积变大，电流能力变强。

技术领域

本发明涉及半导体集成器件领域，尤其涉及一种横向三极管及其制备方法。

背景技术

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基区电极b、发射区电极e和集电区电极c。

但一般的晶体三极管的发射极处于三极管的表面，三极管的表面积基本决定了三极管的发射极面积，使三极管的电流能力弱。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种横向三极管，其能使三极管的发射极面积变大，电流能力变强。

本发明的目的之一采用以下技术方案实现：

一种横向三极管，包括：

第一导电类型的衬底，

形成在所述衬底的上表面上的绝缘层，

形成在所述绝缘层的上表面的第一导电类型的外延层，

自所述外延层的上表面向下贯穿所述外延层和所述绝缘层的第一沟槽，

填充所述第一沟槽的第一导电类型的发射区，

形成在所述第一沟槽侧壁上的第一导电类型的发射结，

形成在所述发射结远离所述发射区的侧壁上的第二导电类型的基区，

自所述外延层的上表面向下贯穿所述外延层的第二沟槽，

填充所述第二沟槽的第一导电类型的集电区，

形成在所述第二沟槽侧壁上的第一导电类型的集电结，

形成在所述外延层、所述集电结、所述集电区、所述基区、所述发射结和所述发射区上表面的介质层，

自所述介质层的上表面向下延伸至所述所述集电区的集电区电极，

自所述介质层的上表面向下延伸分别与所述外延层和所述基区连接的基区电极，

形成在所述衬底的下表面上的发射区电极。

优选的，所述横向三极管包括两个以所述发射区为对称轴的集电区，每个集电区的侧壁均设置有所述的集电结，每个集电区的上表面均设置有所述的集电区电极。

优选的，所述横向三极管还包括设置在所述发射区的下表面上的第一导电类型的第一注入区，所述第一注入区与所述衬底连接。

优选的，所述横向三极管还包括设置在所述基区电极的下表面上的第二导电类型的第二注入区，所述第二注入区分别与所述外延层和所述基区连接。

优选的，所述集电区和所述发射区的材质为多晶硅。