[发明专利]双向直流变换器电路拓扑结构在审
申请号: | 201811168875.7 | 申请日: | 2018-10-08 |
公开(公告)号: | CN109245541A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 宋崇辉;韩涛;刁乃哲;孙先瑞;杨明;王堃;徐涛 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 110169 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路拓扑结构 高频变压器 双向直流变换器 低压侧电路 高压侧电路 大功率电感 可控开关管 箝位二极管 绝缘要求 均压电阻 母线电容 整体效率 直流电源 直流转换 开关管 变比 减小 应用 | ||
1.一种双向直流变换器电路拓扑结构,其特征在于,所述电路拓扑结构包括高压侧电路、低压侧电路以及连接于高压侧电路和低压侧电路之间高频变压器(T1);
所述高压侧电路包括,依次同向串联后接于高压侧电源(E1)两端的第一~第四开关管,依次同向串联后接于高压侧电源(E1)两端的第一母线电容(C1)和第二母线电容(C2),依次串联后接于高压侧电源(E1)两端的第一均压电阻(R1)和第二均压电阻(R2),以及依次同向串联的第一箝位二极管(D7)和第二箝位二极管(D8);
所述第一母线电容(C1)的正极接高压侧电源(E1)的正极,所述第二母线电容(C2)的负极接高压侧电源(E1)的负极;所述第一箝位二极管(D7)的阴极接第一开关管(S1)和第二开关管(S2)之间,所述第二箝位二极管(D8)的阳极接第三开关管(S3)和第四开关管(S4)之间;所述第一开关管(S1)的集电极接高压侧电源(E1)的正极,第四开关管(S4)的发射极接高压侧电源(E1)的负极,所述第二开关管(S2)和第三开关管(S3)之间接输出端子;
所述低压侧电路包括,第五开关管(S5)、第六开关管(S6)以及低压侧电源(E2);
所述高频变压器(T1)包括与高压侧电路连接的高压绕组,与低压侧电路连接的上绕组和下绕组;
所述上绕组的一端通过第五开关管(S5)接于低压侧电源(E2)的正极,另外一端与下绕组的一端连接后接于低压侧电源(E2)的负极,所述下绕组的另外一端通过第六开关管(S6)接于低压侧电源(E2)的正极;所述第五开关管(S5)的集电极接低压侧电源(E2)的正极和第六开关管(S6)的集电极;
所述高压绕组一端连接所述输出端子,另外一端分别接于第一均压电阻(R1)和第二均压电阻(R2)之间,第一母线电容(C1)和第二母线电容(C2)之间,第一箝位二极管(D7)和第二箝位二极管(D8)之间。
2.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,
所述高压绕组一端通过功率电感(L1)连接所述输出端子。
3.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,
所述第一母线电容(C1)和第二母线电容(C2)的电容大小相等。
4.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,
所述第一均压电阻(R1)和第二均压电阻(R2)阻值相等。
5.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,
所述的第一箝位二极管(D7)和第二箝位二极管(D8),为快恢复二极管或肖特基二极管。
6.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,
所述开关管为全控型开关器件,包括场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管。
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