[发明专利]双向直流变换器电路拓扑结构在审

专利信息
申请号: 201811168875.7 申请日: 2018-10-08
公开(公告)号: CN109245541A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 宋崇辉;韩涛;刁乃哲;孙先瑞;杨明;王堃;徐涛 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 韩国胜
地址: 110169 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 电路拓扑结构 高频变压器 双向直流变换器 低压侧电路 高压侧电路 大功率电感 可控开关管 箝位二极管 绝缘要求 均压电阻 母线电容 整体效率 直流电源 直流转换 开关管 变比 减小 应用
【权利要求书】:

1.一种双向直流变换器电路拓扑结构,其特征在于,所述电路拓扑结构包括高压侧电路、低压侧电路以及连接于高压侧电路和低压侧电路之间高频变压器(T1);

所述高压侧电路包括,依次同向串联后接于高压侧电源(E1)两端的第一~第四开关管,依次同向串联后接于高压侧电源(E1)两端的第一母线电容(C1)和第二母线电容(C2),依次串联后接于高压侧电源(E1)两端的第一均压电阻(R1)和第二均压电阻(R2),以及依次同向串联的第一箝位二极管(D7)和第二箝位二极管(D8);

所述第一母线电容(C1)的正极接高压侧电源(E1)的正极,所述第二母线电容(C2)的负极接高压侧电源(E1)的负极;所述第一箝位二极管(D7)的阴极接第一开关管(S1)和第二开关管(S2)之间,所述第二箝位二极管(D8)的阳极接第三开关管(S3)和第四开关管(S4)之间;所述第一开关管(S1)的集电极接高压侧电源(E1)的正极,第四开关管(S4)的发射极接高压侧电源(E1)的负极,所述第二开关管(S2)和第三开关管(S3)之间接输出端子;

所述低压侧电路包括,第五开关管(S5)、第六开关管(S6)以及低压侧电源(E2);

所述高频变压器(T1)包括与高压侧电路连接的高压绕组,与低压侧电路连接的上绕组和下绕组;

所述上绕组的一端通过第五开关管(S5)接于低压侧电源(E2)的正极,另外一端与下绕组的一端连接后接于低压侧电源(E2)的负极,所述下绕组的另外一端通过第六开关管(S6)接于低压侧电源(E2)的正极;所述第五开关管(S5)的集电极接低压侧电源(E2)的正极和第六开关管(S6)的集电极;

所述高压绕组一端连接所述输出端子,另外一端分别接于第一均压电阻(R1)和第二均压电阻(R2)之间,第一母线电容(C1)和第二母线电容(C2)之间,第一箝位二极管(D7)和第二箝位二极管(D8)之间。

2.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,

所述高压绕组一端通过功率电感(L1)连接所述输出端子。

3.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,

所述第一母线电容(C1)和第二母线电容(C2)的电容大小相等。

4.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,

所述第一均压电阻(R1)和第二均压电阻(R2)阻值相等。

5.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,

所述的第一箝位二极管(D7)和第二箝位二极管(D8),为快恢复二极管或肖特基二极管。

6.根据权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,

所述开关管为全控型开关器件,包括场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管。

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