[发明专利]快闪存储器储存装置及其操作方法

说明书

本发明提供一种快闪存储器储存装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个井区域。各井区域包括多个存储器区块以及记录区块。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对各井区域的存储器区块进行抹除操作，并且将各井区域的抹除次数记录在各自的记录区块中。另外，一种快闪存储器储存装置的操作方法也被提出。

技术领域

本发明涉及一种存储器储存装置及其操作方法，尤其涉及一种快闪存储器储存装置及其操作方法。

背景技术

对快闪存储器储存装置而言，循环(cycling)操作容易在其漏极接面产生界面态，并且在其穿隧氧化层产生氧化物陷阱。一般而言，循环操作包括抹除操作及程序化(program)操作。快闪存储器晶胞经过多次的循环操作通常容易会被劣化，例如存储器区块的可靠度会下降，或者抹除时间及程序化时间会增加，亦即操作速度变慢。此外，在经过多次的循环操作之后，晶胞中的部分比特也会因为过早磨损而不符合规范。这些磨损的比特难以在测试阶段加以剔除。因此，若能取得存储器晶胞阵列中包括多个存储器区块的各井区域的抹除次数，将有助于在后续应用或制作过程中，评估快闪存储器储存装置的性能。

发明内容

本发明提供一种快闪存储器储存装置及其操作方法，可记录其中的井区域的抹除次数。

本发明的快闪存储器储存装置包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个井区域。各井区域包括多个存储器区块以及记录区块。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对各井区域的存储器区块进行抹除操作，并且将各井区域的抹除次数记录在各自的记录区块中。

本发明的快闪存储器储存装置的操作方法包括：对存储器晶胞阵列中的多个存储器区块进行抹除操作；判断至少一个记录列所记录的抹除次数是否达到上限值；若至少一个记录列所记录的抹除次数已达到上限值，在对存储器晶胞阵列中的存储器区块进行抹除操作的同时，对至少一个记录列进行抹除操作；以及若至少一个记录列所记录的抹除次数未达到上限值，将抹除次数的数据记录在至少一个记录列中。存储器区块与记录区块位于同一井区域。

基于上述，在本发明的范例实施例中，快闪存储器储存装置可自动记录各井区域被抹除的次数。有此记录数据可作为后续评估快闪存储器储存装置的性能之用。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1示出本发明一实施例的快闪存储器储存装置的概要示意图。

图2示出图1实施例的存储器晶胞阵列中的一个井区域的概要示意图。

图3示出图1实施例的记录区块的概要示意图。

图4示出本发明一实施例的快闪存储器储存装置的操作方法的步骤流程图。

图5示出本发明另一实施例的快闪存储器储存装置的操作方法的步骤流程图。

图6示出图5的步骤S200的详细流程图。

【符号说明】

100：快闪存储器储存装置

110：存储器晶胞阵列

111_1、111_2、111_3、111_(N-1)、111_N：存储器区块

112：井区域

113：记录区块

120：存储器控制电路

310_1、310_2、310_3、310_M：记录列

312、312_1、312_2、312_3、312_4、312_5：字节

LSB：最低有效位