[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层；

所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层上的氧化物层；

所述氧化物层上的栅极绝缘层；以及

所述栅极绝缘层上的栅电极层，

其中，所述氧化物层的侧表面与所述源电极层或所述漏电极层上的所述栅极绝缘层的侧表面一致。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极绝缘层的所述侧表面与所述栅电极层的侧表面一致。

3.如权利要求1所述的半导体装置，还包括与所述栅电极层的侧表面相接触的侧壁绝缘层。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极绝缘层的所述侧表面与所述侧壁绝缘层的侧表面一致。

5.如权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述氧化物半导体层包括铟和锌，且

其中，所述氧化物层包括铟和锌。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述氧化物半导体层和所述氧化物层中的每一个都进一步包括镓，且

其中，所述氧化物层中镓关于铟的比大于所述氧化物半导体层中镓关于铟的比。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

包含在所述氧化物半导体层中的铟的比大于包含在所述氧化物层中的铟的比。

8.如权利要求1或4所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体层和所述氧化物层中的每一个都包括结晶区，该结晶区在与表面垂直的方向上具有c轴取向。

9.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成源电极层和漏电极层；

在所述源电极层和所述漏电极层上层叠氧化物膜和栅极绝缘膜；

在所述氧化物膜和所述栅极绝缘膜上形成栅电极层；

以所述栅电极层为掩模对所述氧化物膜和所述栅极绝缘膜进行蚀刻，以使它们具有岛状，由此形成氧化物层和栅极绝缘层；以及

在所述源电极层、所述漏电极层、所述氧化物层、所述栅极绝缘层和所述栅电极层上形成氧化物绝缘层，

其中，所述氧化物层的侧表面与所述源电极层或所述漏电极层上的所述栅极绝缘层的侧表面一致。

10.如权利要求9所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的所述侧表面与所述栅电极层的侧表面一致。

11.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成源电极层和漏电极层；

在所述源电极层和所述漏电极层上层叠氧化物膜和栅极绝缘膜；

在所述氧化物膜和所述栅极绝缘膜上形成栅电极层；

在所述栅极绝缘膜和所述栅电极层上形成氧化物绝缘层；

对所述氧化物绝缘层进行蚀刻，以形成与所述栅电极层的侧表面相接触的侧壁绝缘层；以及

以所述侧壁绝缘层和所述栅电极层为掩模对所述氧化物膜和所述栅极绝缘膜进行蚀刻，以使它们具有岛状，由此形成氧化物层和栅极绝缘层，

其中，所述侧壁绝缘层的侧表面与所述栅极绝缘层的侧表面一致。

12.如权利要求11所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的所述侧表面与所述氧化物层的侧表面一致。

13.如权利要求9或11所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述氧化物半导体层包括铟和锌，且

其中，所述氧化物层包括铟和锌。

14.如权利要求13所述的用于制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述氧化物半导体层中的铟的比大于所述氧化物层中的铟的比。