[发明专利]相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法

权利要求书

1.相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

第一步，提供具有射频电源的PECVD放电腔，所述PECVD放电腔的尺寸与所述射频电源波长的比值≥0.1，该尺寸指的是腔体对角线的距离，所述PECVD放电腔的顶壁设置有电极板，所述电极板上分布有包含若干馈入点的第一电源馈入组和第二电源馈入组，所述馈入点沿所述PECVD放电腔的对称轴对称分布；

第二步，通过相位调制器设置第一电源馈入组与第二电源馈入组的相位差Δφ；

第三步，通过设置不同的相位差Δφi以及设置不同的持续时间Δti，获得对应的电磁场E(Δφi)，在得出的时间范围内对应平均电磁场T_PR为等离子体响应时间(Plasma Response)。

2.根据权利要求1所述的相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法，其特征在于，所述射频为甚高频。

3.根据权利要求1所述的相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法，其特征在于，所述腔体的尺寸大于0.75米。

4.根据权利要求1所述的相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法，其特征在于，所述相位差Δφ的范围是：-π≤Δφ≤π。

5.根据权利要求4所述的相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法，其特征在于，所述相位差Δφ分别为π/6、π/4、π/3、π/2、2π/3、3π/4、5π/6。

6.根据权利要求1所述的相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法，其特征在于，1ms≤所述等离子体响应时间≤100ms。