[发明专利]用于存储设备的状态相关的感测电路和预充电操作有效

专利信息
申请号: 201811171443.1 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN109599140B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: T-Y.曾;A.阿玛纳思 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C11/40
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储 设备 状态 相关 电路 充电 操作
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

感测电路,所述感测电路耦合到位线,所述感测电路包括:

预充电电路路径,所述预充电电路路径被配置为在感测操作期间利用处于预充电电平的电压对感测节点预充电;和

锁存电路,所述锁存电路被配置为:

响应于在所述锁存电路的第一晶体管处接收处于高电压电平的控制信号;

响应于所述位线包括所选择的位线,在感测操作的预充电阶段期间的时间点启用所述预充电电路路径以利用处于所述预充电电平的所述电压对所述感测节点预充电;并且

响应于所述位线包括未选择的位线,在所述预充电阶段期间的所述时间点禁用所述预充电电路路径以防止所述预充电电路路径利用处于所述预充电电平的所述电压对所述感测节点预充电;

其中所述预充电电路路径被配置为对所述感测节点预充电以生成处于初始预充电电平的感测电压,其中所述电路还包括阈值电压跟踪电路路径,所述阈值电压跟踪电路路径被配置为将感测晶体管配置为二极管连接的晶体管以生成处于最终预充电电平的所述感测电压;

所述电路还包括电压源,所述电压源被配置为输出供电电压以在所述感测晶体管的源极端子处生成阈值电压跟踪电压,并且其中在所述感测电压的所述初始预充电电平和所述阈值电压跟踪电压的电平之间的电压差是所述感测晶体管的最大阈值电压。

2.根据权利要求1所述的电路,其中所述感测电路还包括:

放电电路路径,所述放电电路路径被配置为在所述预充电电路路径在所述感测操作期间利用处于所述预充电电平的所述电压对所述感测节点预充电之前,释放在所述感测节点上累积的电荷。

3.根据权利要求2所述的电路,其中形成所述预充电电路路径以对所述感测节点预充电的晶体管是形成放电路径以释放在所述感测节点上累积的电荷的相同晶体管。

4.根据权利要求3所述的电路,其中所述晶体管被配置为交替地连接到电压源和接地参考,其中所述晶体管被配置为连接到所述电压源以在形成所述预充电电路路径时接收供电电压,并且被配置为在形成所述放电电路路径时连接到所述接地参考。

5.根据权利要求1所述的电路,还包括连接所述感测电路和所述锁存电路的通信总线,

其中所述锁存电路被配置为将所述通信总线的电压下拉到相关联的低电压电平以禁用所述预充电电路路径。

6.根据权利要求1所述的电路,其中所述锁存电路被配置为执行锁存读取操作以禁用所述预充电电路路径。

7.根据权利要求6所述的电路,还包括连接所述感测电路和所述锁存电路的通信总线,

其中所述锁存电路被配置为接收控制信号以执行所述锁存读取操作,

其中所述锁存电路被配置为响应于当所述位线包括未选择的位线时的所述控制信号,将所述通信总线的电压设置为低电压电平以禁用所述预充电电路路径,并且

其中所述锁存电路被配置为响应于当所述位线包括所选择的位线时的所述控制信号,相对于所述通信总线浮动以启用所述预充电电路路径。

8.根据权利要求1所述的电路,还包括连接到所述感测节点的电荷存储电路,其中所述电荷存储电路被配置为接收输入脉冲以增加所述感测电压;并且

其中所述电压源被配置为响应于所述输入脉冲的接收而增加所述阈值电压跟踪电压以与所述感测电压的所述增加一致。

9.根据权利要求8所述的电路,还包括感测电路控制器,所述感测电路控制器被配置为减小所述阈值电压跟踪电压以准备所述阈值电压跟踪电压的所述增加。

10.根据权利要求1所述的电路,其中所述锁存电路包括第一反相器和与所述第一反相器交叉耦合的第二反相器以形成选择节点和未选择节点。

11.根据权利要求10所述的电路,其中所述锁存电路还包括:

第二晶体管与所述第一晶体管一起连接到所述第一反相器;以及

第三晶体管和第四晶体管连接到所述第二反相器。

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