[发明专利]一种压电传感器在审
申请号: | 201811171661.5 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN109509830A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 陈显锋 | 申请(专利权)人: | 佛山市卓膜科技有限公司 |
主分类号: | H01L41/053 | 分类号: | H01L41/053;H01L41/08;H01L41/113 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528251 广东省佛山市南海区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电传感器 压电薄膜层 压电薄膜 依次设置 胶粘层 支撑体 底座 第二电极 第一电极 批量化 体积小 质量块 重量轻 生产 | ||
1.一种压电传感器,其特征在于,包括底座,依次设置在底座上的第一胶粘层、压电薄膜层、第二胶粘层和质量块,所述压电薄膜层包括支撑体,依次设置在支撑体上的第一电极、压电薄膜和第二电极,所述压电薄膜的厚度为0.1-10μm。
2.如权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,所述支撑体由不产生电荷的硬质材料制成,或者由产生电荷数量小于压电薄膜产生电荷数量的硬质材料制成,所述支撑体的厚度为0.05-2mm。
3.如权利要求2所述的压电传感器,其特征在于,采用物理或者化学方式在支撑体上沉积形成压电薄膜。
4.如权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,所述压电薄膜包括Pb、Zr、Ti、Ba、Fe、Bi、Nb、Sr、La、Mn、Co、B、Ni、Li、Na、K、Sn和Si中的一种或几种元素。
5.如权利要求4所述的压电传感器,其特征在于,所述压电薄膜为PZT薄膜、BaTiO薄膜、BiFeO3薄膜、BaSrO3薄膜、LiNbO3薄膜、KNbO3薄膜或LiTaO3薄膜。
6.如权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,所述第一电极和第二电极包括Au、Ti、Pt、Ir、Ni、La、Ni、Ru、Sr、Ag、Cr、Al、Cu中的一种或几种元素。
7.如权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,所述质量块由铜、钨或钨铜制成。
8.如权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,还包括用于防电磁信号干扰的外壳,其中,质量块与外壳之间设置有预压弹簧。
9.如权利要求8所述的压电传感器,其特征在于,还包括用于防电磁信号干扰的外壳,所述外壳的内壁设有凸起,所述质量块的顶部设有凹孔,所述凸起插入在所述凹孔中。
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