[发明专利]包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途

权利要求书

1.用于太阳能电池的前侧面的厚膜糊料组合物，包含：

a)基于所述厚膜糊料组合物中的总固体计85-99.5重量％的导电金属；

b)基于所述厚膜糊料组合物中的总固体计0.5-15重量％的铅-碲-氧化物，其中所述铅-碲-氧化物包含30-85mol％的铅氧化物和15-70mol％的碲氧化物；和

c)有机介质。

2.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述铅-碲-氧化物包含30-65mol％的铅氧化物和35-70mol％的碲氧化物。

3.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中基于所述厚膜糊料组合物中的总固体计，所述厚膜糊料组合物包含90-99.5重量％的导电金属。

4.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中基于所述厚膜糊料组合物中的总固体计，所述厚膜糊料组合物包含95-99.5重量％的导电金属。

5.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中基于所述厚膜糊料组合物中的总固体计，所述厚膜糊料组合物包含大于95重量％至99.5重量％的导电金属。

6.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述导电金属包括银。

7.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述有机介质包括聚合物。

8.根据权利要求7所述的厚膜糊料组合物，其中所述有机介质还包括选自以下的一种或多种添加剂：溶剂、稳定剂、表面活性剂和增稠剂。

9.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中基于所述厚膜糊料组合物中的总固体计，所述导电金属为90-95重量％。

10.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述铅-碲-氧化物为至少部分结晶的。

11.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，还包含选自以下的添加剂：TiO₂、LiO₂、B₂O₃、PbF₂、SiO₂、Na₂O、K₂O、Rb₂O、Cs₂O、Al₂O₃、MgO、CaO、SrO、BaO、V₂O₅、ZrO₂、MoO₃、Mn₂O₃、Ag₂O、ZnO、Ga₂O₃、GeO₂、In₂O₃、SnO₂、Sb₂O₃、Bi₂O₃、BiF₃、P₂O₅、CuO、NiO、Cr₂O₃、Fe₂O₃、CoO、Co₂O₃和CeO₂。

12.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述铅-碲-氧化物还包含一种或多种选自以下的元素：Si、Sn、Li、Ti、Ag、Na、K、Rb、Cs、Ge、Ga、In、Ni、Zn、Ca、Mg、Sr、Ba、Se、Mo、W、Y、As、La、Nd、Co、Pr、Gd、Sm、Dy、Eu、Ho、Yb、Lu、Bi、Ta、V、Fe、Hf、Cr、Cd、Sb、Bi、F、Zr、Mn、P、Cu、Ce和Nb。