[发明专利]一种线阵探测器探测模组有效
申请号: | 201811173013.3 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN109581466B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 谭江;方志强;林言成;崔亚辉 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G01T1/20 | 分类号: | G01T1/20 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 探测 模组 | ||
1.一种线阵探测器探测模组,其特征在于,所述线阵探测器探测模组至少包括:
第一闪烁体层,用于将低能射线转换成可见光;
第一非晶硅光电二极管阵列,贴置于所述第一闪烁体层一表面,用于吸收所述第一闪烁体层转换的可见光并将其转换成电信号,所述第一非晶硅光电二极管阵列包括第一玻璃基底和制备于所述第一玻璃基底表面的若干个呈阵列排布的第一非晶硅光电二极管单元,所述第一闪烁体层和所述第一非晶硅光电二极管阵列构成低能探测器;
第二闪烁体层,位于所述低能探测器远离射线源的一侧,所述第二闪烁体层用于将高能射线转换成可见光;
第二非晶硅光电二极管阵列,贴置于所述第二闪烁体层一表面,用于吸收所述第二闪烁体层转换的可见光并将其转换成电信号,所述第二非晶硅光电二极管阵列包括第二玻璃基底和制备于所述第二玻璃基底表面的若干个呈阵列排布的第二非晶硅光电二极管单元,所述第二闪烁体层和所述第二非晶硅光电二极管阵列构成高能探测器;
固定柱,穿过所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底,用于将所述低能探测器和所述高能探测器固定于探测主板上,所述线阵探测器探测模组还包括第一柔性电路板和第二柔性电路板,所述第一柔性电路板电性连接于所述第一非晶硅光电二极管单元和所述探测主板之间;所述第二柔性电路板电性连接于所述第二非晶硅光电二极管单元和所述探测主板之间。
2.根据权利要求1所述的线阵探测器探测模组,其特征在于:所述固定柱包括六角铜柱。
3.根据权利要求1所述的线阵探测器探测模组,其特征在于:所述探测主板为PCB板,所述探测主板上还设置有数据读出电路和处理电路,所述第一非晶硅光电二极管单元和所述第二非晶硅光电二极管单元分别通过所述第一柔性电路板和所述第二柔性电路板与所述读出电路和处理电路电连接。
4.根据权利要求1所述的线阵探测器探测模组,其特征在于:所述低能探测器和所述高能探测器之间设置有一低能射线滤波片。
5.根据权利要求4所述的线阵探测器探测模组,其特征在于:所述低能射线滤波片贴置于所述第一非晶硅光电二极管阵列和所述第二闪烁体层之间。
6.根据权利要求4所述的线阵探测器探测模组,其特征在于:所述低能射线滤波片的材料包括铜、银及铜银合金中的一种。
7.根据权利要求1所述的线阵探测器探测模组,其特征在于:所述第一闪烁体层及所述第二闪烁体层包括GOS陶瓷闪烁体层、NaI闪烁体层、CsI闪烁体层、LaBr3闪烁体层及CdWO4闪烁体层中的一种。
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