[发明专利]铜箔基板

说明书

本发明公开一种微粗糙电解铜箔及铜箔基板。微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面。微粗糙表面具有多个凸峰、多个凹槽以及多个微结晶簇。凹槽具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，凹槽的平均深度小于或等于1.5微米。微结晶簇位于凸峰顶部。每一个微结晶簇由多个平均直径小于或等于0.5微米的微结晶堆栈构成。微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.3。微粗糙表面与基材之间有良好的接合力，且具有良好的介入损失有表现，能够有效地抑制讯号损耗。

技术领域

本发明涉及一种铜箔，特别是涉及一种电解铜箔及具有此铜箔的铜箔基板。

背景技术

随着信息和电子产业的发展，高频高速的讯号传输已成为现代电路设计与制造的一环。电子产品为了能符合高频高速的讯号传输需求，所采用的铜箔基板在高频下需要有良好的介入损失(insertion loss)表现，以防止高频讯号在传递时产生过度的损耗。铜箔基板的介入损失与其表面粗糙度有高度关联。当表面粗糙度降低时，介入损失有较佳的表现，反之则否。但是降低粗糙度的同时，也会导致铜箔与基材间的剥离强度下滑，影响到后端产品的良率。因此，如何将剥离强度维持在业界水平，并提供良好的介入损失表现，已成为本领域所欲解决的课题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种微粗糙电解铜箔。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种微粗糙电解铜箔。所述微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面。所述微粗糙表面具有多个凸峰、多个凹槽以及多个微结晶簇。所述凹槽具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，所述凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，所述凹槽的平均深度小于或等于1.5微米。所述微结晶簇位于所述凸峰顶部。每一个所述微结晶簇由多个平均直径小于或等于0.5微米的微结晶堆栈构成。所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.3。

优选地，每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆栈构成，所述微结晶的平均直径小于或等于0.5微米，每一个所述微结晶簇的平均高度小于或等于2微米。

优选地，每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆栈构成，所述微结晶的平均直径小于或等于0.5微米，每一个所述微结晶簇的平均高度小于或等于1.3微米。多个所述微结晶构成一分岔状的结晶团。

优选地，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.26。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种铜箔基板，其包括一基材以及一微粗糙电解铜箔。所述微粗糙电解铜箔包括一贴附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多个凸峰、多个凹槽以及多个微结晶簇，所述凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，所述凹槽的平均深度小于或等于1.5微米，所述微结晶簇位于所述凸峰顶部，所述微结晶簇的平均高度小于或等于2微米。所述铜箔基板于20GHz的介入损失(Insertion Loss)介于0至-1.5db/in。所述微粗糙电解铜箔与所述基材间的剥离强度大于4.3lb/in。

优选地，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-1.2db/in。

优选地，所述铜箔基板于8GHz的介入损失介于0至-0.65db/in，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-1.0db/in。

优选地，所述铜箔基板于8GHz的介入损失介于0至-0.63db/in，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-0.97db/in，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-1.15db/in，所述铜箔基板于20GHz的介入损失介于0至-1.45db/in。

优选地，所述微结晶簇的平均最大宽度小于或等于5微米；部份的所述微结晶簇形成有分岔结构；每一个所述微结晶簇的平均高度小于或等于1.8微米；每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆栈构成，所述微结晶的平均直径小于或等于0.5微米；所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.26。