[发明专利]存储器系统及其操作方法

说明书

本发明涉及一种非易失性存储器系统和存储器操作的设计，其能够分配与来自存储器单元的硬数据值相关联的可靠性值，并基于该可靠性值对硬数据执行错误校正操作。存储器系统的一个示例包括：非易失性存储器装置，包括多个存储器单元；控制器，基于存储器单元的硬读取电压通过执行硬读取操作来获得硬数据，并且基于可靠性值对硬数据执行错误校正操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月11日提交的申请号为10-2017-0130123的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

公开的技术和各个实施例总体涉及一种存储器系统，更特别地，涉及一种包括非易失性存储器装置的存储器系统。

背景技术

存储器系统响应于写入请求存储由外部装置提供的数据。存储器系统还可响应于读取请求将存储的数据提供给外部装置。使用存储器系统的外部装置的示例包括计算机、数码相机、移动电话等。存储器系统可在外部装置的制造期间被嵌入在外部装置中，或者可被单独制造，并且然后连接到外部装置。

发明内容

本专利文件提供了非易失性存储器系统和存储器操作的设计，其能够分配与来自存储器单元的硬数据值相关联的可靠性值，并基于该可靠性值对硬数据执行错误校正操作。

在一个实施例中，存储器系统可包括：非易失性存储器装置，包括多个存储器单元，并且可进行操作以在读取操作中向存储器单元施加读取电压以读取数据；以及控制器，与非易失性存储器装置通信以控制存储器单元的操作。控制器基于施加到存储器单元的硬读取电压通过执行硬读取操作来获得硬数据；基于施加到存储器单元的第一和第二过采样读取电压通过执行过采样读取操作，从存储器单元获得过采样数据；基于硬数据和过采样数据估计硬读取电压的偏离方向；基于偏离方向将可靠性值分配给多个阈值电压区间(threshold voltage interval)；并且基于可靠性值对硬数据执行错误校正操作。

在另一实施例中，存储器系统可包括：非易失性存储器装置，包括多个存储器单元，并且适于在读取操作中通过向存储器单元施加读取电压来读取数据；以及控制器，适于通过基于对存储器单元的硬读取电压执行硬读取操作来获得硬数据，并且基于可靠性值对硬数据执行错误校正操作，该控制器包括估计单元和可靠性值分配单元，估计单元适于基于对存储器单元的第一和第二过采样读取电压通过执行过采样读取操作来获得过采样数据，并基于硬数据和过采样数据来估计硬读取电压的偏离方向，可靠性值分配单元适于基于偏离方向将可靠性值分配给多个阈值电压区间。

在另一实施例中，一种操作存储器系统的方法可包括：通过基于对存储器单元的硬读取电压执行硬读取操作来获得硬数据；通过基于对存储器单元的第一和第二过采样读取电压执行过采样读取操作来获得过采样数据；基于硬数据和过采样数据估计硬读取电压的偏离方向；基于偏离方向将可靠性值分配给多个阈值电压区间；并且基于可靠性值对硬数据执行错误校正操作。

在另一实施例中，存储器系统可包括：非易失性存储器装置，包括多个存储器单元，并且可进行操作以在读取操作中向存储器单元施加读取电压以读取数据；以及控制器，与非易失性存储器装置通信以控制存储器单元的操作。控制器配置成：通过基于施加到存储器单元的硬读取电压执行硬读取操作来获得硬数据；通过基于施加到存储器单元的第一和第二过采样读取电压执行过采样读取操作，从存储器单元获得过采样数据；通过处理硬数据和过采样数据，基于存储器单元的阈值电压分布来估计硬读取电压相对于参考电压的偏离方向；基于偏离方向将可靠性值分配给多个阈值电压区间；并且基于可靠性值对硬数据执行错误校正操作。

在另一实施例中，提供了一种操作存储器系统的方法，包括：通过基于施加到存储器单元的硬读取电压执行硬读取操作来从存储器单元获得硬数据；通过处理从存储器单元获得的硬数据和过采样数据、基于存储器单元的阈值电压分布来估计硬读取电压相对于参考电压的偏离方向；基于偏离方向将可靠性值分配给多个阈值电压区间；并且基于可靠性值对硬数据执行错误校正操作。