[发明专利]MEMS传感器

权利要求书

1.一种MEMS传感器，包括：

衬底以及通过间隔部支撑在衬底上方的振膜，所述衬底、间隔部、振膜围成了真空腔；其中，振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与衬底之间的距离；

检测结构，所述检测结构用于输出表征振膜变形的电信号；

驱动装置，所述驱动装置被配置为：为振膜提供朝远离真空腔方向抵抗外界压力的力。

2.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其中，所述驱动装置为磁性驱动，至少包括设置在振膜上的第一磁体，以及相对固定在衬底上的第二磁体；所述第一磁体、第二磁体被配置为互相之间产生排斥力，以使第一磁体驱动振膜抵抗外界压力。

3.根据权利要求2所述的MEMS传感器，其中，所述第二磁体设置在衬底上远离振膜的一侧。

4.根据权利要求2或3所述的MEMS传感器，其中，所述第一磁体、第二磁体为磁性薄膜。

5.根据权利要求4所述的MEMS传感器，其中，所述磁性薄膜采用CoCrPt或者CoPt材质。

6.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其中，所述驱动装置为设置在振膜上的压电片，所述压电片被配置为：为振膜提供抵抗外界压力的力。

7.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其中，还包括极板，所述极板支撑在振膜上方，所述极板上设置有导通孔；所述极板、振膜之间被配置为形成第一静电力，该第一静电力为振膜提供抵抗外界压力的力。

8.根据权利要求7所述的MEMS传感器，其中，在衬底上设置有与振膜形成平板电容式检测结构的检测下电极，所述检测下电极、振膜之间同时被配置为形成第二静电力：该第二静电力的方向与第一静电力的方向相反，第二静电力与第一静电力共同制约在振膜上。

9.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其中，所述检测结构为电容式、压电式、压阻式或磁阻式检测结构。

10.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其中，MEMS传感器为麦克风，压力传感器或力传感器。