[发明专利]一种闪存器件的制造方法

说明书

本发明提供一种闪存器件的制造方法，在形成栅堆叠层的侧墙时，在侧墙的侧壁上形成第一保护层，该保护层与侧墙在去除字线区侧墙的工艺中是具有刻蚀选择性的，这样，在去除字线区侧墙时，该保护层可以保护擦除栅区的侧墙不被去除，该擦除栅区的侧墙为形成浮栅时的掩膜，通过该保护层减少或避免形成浮栅的掩膜的损伤，从而，提高形成的浮栅的均匀性，进而提高闪存器件的擦除效率，提高闪存器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种闪存器件的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器得到了广泛的应用。浮栅型闪存是一种非易失性存储器，具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点。

而随着闪存的应用越来越广泛，将闪存嵌入其他的应用系统芯片中成为闪存发展的另一个主要方向，在嵌入式的闪存中，通常采用分立栅的闪存器件，其具有低编程电压、编程效率高的优点，分立栅的闪存器件中的浮栅为非对称结构，一侧的浮栅伸出侧墙一部分，该侧浮栅的侧面将形成擦除栅，而在形成该侧浮栅的工艺中，也会腐蚀去除该侧的部分浮栅，导致浮栅均匀性变差，进而影响闪存器件的擦除效率，降低器件的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种闪存器件的制造方法，提高浮栅均匀性，进而提高闪存器件的擦除效率。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种闪存器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，所述衬底上形成有浮栅层，所述浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述栅堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；

在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，以及在所述侧墙的侧壁上形成第一保护层；

去除所述字线区的第一保护层及侧墙，所述第一保护层与所述侧墙在去除所述字线区侧墙的工艺中具有刻蚀选择性；

以所述擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀，以形成浮栅；

去除所述擦除栅区的侧墙及第一保护层。

可选地，在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，以及在所述侧墙的侧壁上形成第一保护层，包括：

依次沉积侧墙材料层和第一保护层；

进行所述侧墙材料层和第一保护层的各向异性刻蚀，以在所述栅堆叠层的侧壁形成侧墙以及在所述侧墙的侧壁形成第一保护层。

可选地，在所述侧墙与所述栅堆叠层之间还形成有侧墙垫层。

可选地，所述侧墙为氧化硅，所述保护层为氮化硅。

可选地，采用湿法腐蚀去除所述字线区的侧墙，腐蚀溶剂包括氢氟酸。

可选地，所述浮栅层与衬底之间还形成有栅介质层，在去除所述擦除栅区的侧墙及第一保护层的步骤中，还包括：

去除浮栅之外的栅介质层。

可选地，在去除所述擦除栅区的侧墙及第一保护层之后，还包括：

形成遂穿氧化层，所述遂穿氧化物层覆盖所述擦除栅区一侧浮栅暴露的表面；

在所述擦除栅区上形成与所述遂穿氧化物层相接的擦除栅，以及在所述字线区形成字线。

可选地，形成覆盖浮栅的遂穿氧化层，包括：

依次沉积遂穿氧化层和第二保护层；

去除所述字线区的第二保护层和遂穿氧化层，所述第二保护层与所述遂穿氧化层在去除遂穿氧化层的工艺中具有刻蚀选择性；

去除第二保护层。